[發(fā)明專利]量子點的制備方法及量子點復(fù)合材料、量子點發(fā)光二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911399846.6
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN113122226B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周禮寬
• 申請（專利權(quán)）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/88;C09K11/56;B82Y20/00;B82Y40/00;H10K50/115
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 曹柳

1.一種量子點的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在第一反應(yīng)溫度的保護氣體氛圍下，將陰離子B源與陽離子A源溶解在溶劑中，反應(yīng)得到含有AB量子點晶核的第一反應(yīng)體系；

將所述第一反應(yīng)體系的溫度調(diào)節(jié)至第二反應(yīng)溫度，添加陰離子C源和陽離子D源，反應(yīng)形成第二反應(yīng)體系，所述第二反應(yīng)體系中同時含有AB/DC量子點晶核和DC量子點晶核；

將所述第二反應(yīng)體系的溫度調(diào)節(jié)至成殼反應(yīng)溫度，添加成殼陽離子E源和成殼陰離子F源，反應(yīng)得到AB/DC/EF量子點和DC/EF量子點；所述DC/EF量子點的結(jié)構(gòu)和成分與所述AB/DC/EF量子點的殼層相同；

所述AB/DC/EF量子點的粒徑為5～20納米；所述DC/EF量子點的粒徑為2～5納米；

所述陽離子A源、所述陽離子D源和所述陽離子E源分別獨立地選自：鎘源、鋅源、銦源、鎵源、鉛源中的至少一種；

所述陰離子B源、所述陰離子C源和所述陰離子F源分別獨立地選自：硒源、硫源、碲源、砷源、磷源中的至少一種。

2.如權(quán)利要求1所述的量子點的制備方法，其特征在于，所述陽離子A源與所述陰離子B源的質(zhì)量比為(1～1.5)：1；和/或，

所述陽離子D源的質(zhì)量與所述陰離子C源的質(zhì)量之比為(1～1.5)：1；和/或，

所述陽離子E源與所述陰離子F源的質(zhì)量之比為(1～1.5)：1；和/或，

所述第二反應(yīng)體系中所述陰離子C的濃度為1mmol/ml～2mmol/ml，所述陽離子D的濃度為1mmol/ml～2mmol/ml。

3.如權(quán)利要求1或2所述的量子點的制備方法，其特征在于，所述保護氣體選自：氮氣、氬氣、氦氣中的至少一種；和/或，

所述溶劑選自：磷酸三辛酯、三正丁基膦、三正辛基膦、十八烯、油酸、油胺、二十四烷中至少一種。

4.如權(quán)利要求3所述的量子點的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在第一反應(yīng)溫度的保護氣體氛圍下，將第一硒源和/或第一硫源與第一鎘源和/或第一鋅源溶解在溶劑中，反應(yīng)得到含有第一量子點晶核的第一反應(yīng)體系；

將所述第一反應(yīng)體系的溫度調(diào)節(jié)至第二反應(yīng)溫度后，添加第二硒源和/或第二硫源，反應(yīng)形成第二反應(yīng)體系，所述第二反應(yīng)體系中同時含有第二量子點晶核與第三量子點晶核；

將所述第二反應(yīng)體系的溫度調(diào)節(jié)至成殼反應(yīng)溫度，添加第二鋅源和/或第二鎘源以及第三硫源和/或第三硒源進行成核反應(yīng)，得到核殼結(jié)構(gòu)量子點和殼層量子點。

5.如權(quán)利要求4所述的量子點的制備方法，其特征在于，所述第一反應(yīng)溫度為240℃～260℃；和/或，

所述第二反應(yīng)溫度為280℃～330℃；和/或，

所述成殼反應(yīng)溫度為220℃～280℃。

6.如權(quán)利要求5所述的量子點的制備方法，其特征在于，所述第一量子點晶核包括：CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、CdZnSeS、ZnSeS中的至少一種；和/或，

所述第二量子點晶核包括：CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、CdZnSeS、ZnSeS中的至少一種，且所述第一量子點晶核不同于所述第二量子點晶核；和/或，

所述第三量子點晶核包括：所述第一量子點晶核和包覆在所述第一量子點晶核外表面的所述第二量子點晶核；和/或，

所述核殼結(jié)構(gòu)量子點包括：所述第三量子點晶核和包覆在所述第三量子點晶核外表面的CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、CdZnSeS、ZnSeS中的至少一種殼層，且所述殼層不同于第二量子點晶核；和/或，

所述殼層量子點包括：所述第二量子點晶核和包覆在所述第二量子點晶核外的CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、CdZnSeS、ZnSeS中的至少一種殼層，所述殼層不同于第二量子點晶核；且所述核殼結(jié)構(gòu)量子點的最外層與所述殼層量子點的最外層相同。