[發(fā)明專利]量子點(diǎn)的制備方法及量子點(diǎn)復(fù)合材料、量子點(diǎn)發(fā)光二極管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911399846.6
• 申請(qǐng)日: 2019-12-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113122226B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周禮寬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): C09K11/02
• 分類號(hào): C09K11/02;C09K11/88;C09K11/56;B82Y20/00;B82Y40/00;H10K50/115
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 曹柳

本發(fā)明屬于量子點(diǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)的制備方法，包括步驟：在第一反應(yīng)溫度的保護(hù)氣體氛圍下，將陰離子B源與陽(yáng)離子A源溶解在溶劑中，得到含有AB量子點(diǎn)晶核的第一反應(yīng)體系；將第一反應(yīng)體系的溫度調(diào)節(jié)至第二反應(yīng)溫度，添加陰離子C源和陽(yáng)離子D源，反應(yīng)形成第二反應(yīng)體系，第二反應(yīng)體系中同時(shí)含有AB/DC量子點(diǎn)晶核和DC量子點(diǎn)晶核；將第二反應(yīng)體系的溫度調(diào)節(jié)至成殼反應(yīng)溫度，添加成殼陽(yáng)離子E源和成殼陰離子F源，反應(yīng)得到AB/DC/EF量子點(diǎn)和DC/EF量子點(diǎn)。本發(fā)明量子點(diǎn)的制備方法，通過(guò)一鍋法同時(shí)制備出兩種結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，提高了量子點(diǎn)材料的光熱穩(wěn)定性和載流子傳輸效率，從而提高了量子點(diǎn)的光電轉(zhuǎn)換效率和可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于量子點(diǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)的制備方法、量子點(diǎn)復(fù)合材料、量子點(diǎn)發(fā)光二極管。

背景技術(shù)

量子點(diǎn)材料由于發(fā)光效率高、激發(fā)范圍廣、發(fā)射光譜窄、顏色波長(zhǎng)可調(diào)、穩(wěn)定性強(qiáng)等特點(diǎn)，在顯示技術(shù)、太陽(yáng)能電池和生物技術(shù)等方面的應(yīng)用受到越來(lái)越多的關(guān)注。具有不同能帶寬度的量子點(diǎn)，在一定波長(zhǎng)的激發(fā)條件下將會(huì)發(fā)出不同能量的光子，也就是不同顏色的光。因此，通過(guò)一定的方式來(lái)調(diào)整量子點(diǎn)的尺寸和化學(xué)組成可以使其發(fā)射光譜覆蓋整個(gè)可見(jiàn)光區(qū)，甚至是近紅外區(qū)。量子點(diǎn)材料在發(fā)光顯示領(lǐng)域的應(yīng)用主要分為兩類：一類是通過(guò)光致發(fā)光方式，將含有紅綠量子點(diǎn)的光學(xué)薄膜置于背光模組之上，由薄膜激發(fā)出的光通過(guò)液晶和彩色濾光片展現(xiàn)顏色；另一類是電致發(fā)光二極管，即將量子點(diǎn)層夾在電子傳輸和空穴傳輸有機(jī)材料層之間，外加電場(chǎng)使電子和空穴移動(dòng)到量子點(diǎn)層中，它們?cè)谶@里被捕獲到量子點(diǎn)層并且重組，從而發(fā)射光子。

目前，量子點(diǎn)材料的穩(wěn)定性，以及在器件中的發(fā)光效率仍然是當(dāng)前研究的熱點(diǎn)之一，仍有待提高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種量子點(diǎn)的制備方法，旨在一定程度上解決現(xiàn)有量子點(diǎn)材料的穩(wěn)定性以及在器件中的發(fā)光效率仍有待提高的等技術(shù)問(wèn)題。

本發(fā)明的再一目的在于提供一種量子點(diǎn)復(fù)合材料。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管。

為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

一種量子點(diǎn)的制備方法，包括以下步驟：

在第一反應(yīng)溫度的保護(hù)氣體氛圍下，將陰離子B源與陽(yáng)離子A源溶解在溶劑中，反應(yīng)得到含有AB量子點(diǎn)晶核的第一反應(yīng)體系；

將所述第一反應(yīng)體系的溫度調(diào)節(jié)至第二反應(yīng)溫度，添加陰離子C源和陽(yáng)離子D源，反應(yīng)形成第二反應(yīng)體系，所述第二反應(yīng)體系中同時(shí)含有AB/DC量子點(diǎn)晶核和DC量子點(diǎn)晶核；

將所述第二反應(yīng)體系的溫度調(diào)節(jié)至成殼反應(yīng)溫度，添加成殼陽(yáng)離子E源和成殼陰離子F源，反應(yīng)得到AB/DC/EF量子點(diǎn)和DC/EF量子點(diǎn)。

相應(yīng)地，一種量子點(diǎn)復(fù)合材料，所述量子點(diǎn)復(fù)合材料包括第一量子點(diǎn)和第二量子點(diǎn)，所述第一量子點(diǎn)由內(nèi)至外至少包括量子點(diǎn)晶核、第一殼層和第二殼層，所述第二量子點(diǎn)的晶核成分與所述第一量子點(diǎn)的第一殼層相同，所述第二量子點(diǎn)的殼層結(jié)構(gòu)和成分與所述第一量子點(diǎn)中除第一殼層外的剩余殼層相同。

相應(yīng)地，一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管包含有上述的量子點(diǎn)復(fù)合材料。