[發(fā)明專利]晶體管陣列基板和制造該晶體管陣列基板的方法

在審

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• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN111508970A
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭鐘鉉;金載運
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京鉦霖知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11722
• 代理人: 馮志云;李英艷

本公開涉及一種晶體管陣列基板，所述晶體管陣列基板包括：基板(具有第一溝槽)、柵電極(在所述第一溝槽中)、絕緣膜、柵極線、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極。所述絕緣膜包括第二溝槽、第三溝槽、第四溝槽、第五溝槽和第六溝槽。所述柵極線在所述第二溝槽中且不與所述數(shù)據(jù)線平行。所述數(shù)據(jù)線包括第一區(qū)段和第二區(qū)段，所述第一區(qū)段和所述第二區(qū)段通過所述柵極線分離開并且分別在所述第三溝槽和所述第四溝槽中。所述源電極和所述漏電極分別在所述第五溝槽和所述第六溝槽中。所述源電極電連接到所述數(shù)據(jù)線。所述柵電極電連接到所述柵極線。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2019年1月24日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2019-0009113號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益；此韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用被全部并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

技術(shù)領(lǐng)域涉及晶體管陣列基板和制造該晶體管陣列基板的方法。

背景技術(shù)

顯示裝置可以包括例如液晶顯示裝置和有機發(fā)光顯示裝置。顯示裝置可以包括薄膜晶體管陣列基板。薄膜晶體管陣列基板可以包括像素和連接到像素的晶體管的信號線。顯示裝置可以包括用于通過信號線提供信號以控制像素的晶體管的其他元件。

發(fā)明內(nèi)容

實施例可以涉及一種具有可靠的信號線的薄膜晶體管陣列基板。實施例可以涉及一種用于制造所述薄膜晶體管陣列基板的方法。

實施例可以涉及一種能夠使不期望的外部光的反射最小化或能夠防止不期望的外部光的反射的薄膜晶體管陣列基板。實施例可以涉及一種用于制造所述薄膜晶體管陣列基板的方法。

實施例可以涉及一種晶體管陣列基板。所述晶體管陣列基板可以包括基體基板、柵電極、絕緣膜、柵極線、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極。所述基體基板可以包括第一溝槽。所述柵電極可以設(shè)置在所述第一溝槽中。所述絕緣膜可以設(shè)置在所述基板上并且可以包括第二溝槽、第三溝槽、第四溝槽、第五溝槽和第六溝槽。所述柵極線可以傳輸柵極信號、可以設(shè)置在所述第二溝槽中并且可以在第一方向上延伸。所述數(shù)據(jù)線可以傳輸數(shù)據(jù)信號、可以在與所述第一方向不同的第二方向上延伸并且可以包括第一信號線區(qū)段和第二信號線區(qū)段。所述第一信號線區(qū)段可以至少通過所述柵極線與所述第二信號線區(qū)段分離開并且可以設(shè)置在所述第三溝槽中。所述第二信號線區(qū)段可以設(shè)置在所述第四溝槽中。所述源電極可以設(shè)置在所述第五溝槽中并且可以電連接到所述數(shù)據(jù)線。所述漏電極可以設(shè)置在所述第六溝槽中并且可以與所述源電極間隔開。所述柵電極可以電連接到所述柵極線。

所述第一信號線區(qū)段可以至少通過所述絕緣膜的第一部分和所述絕緣膜的第二部分與所述第二信號線區(qū)段分離開。所述柵極線可以設(shè)置在所述絕緣膜的所述第一部分和所述絕緣膜的所述第二部分之間。

所述晶體管陣列基板可以包括連接構(gòu)件。所述連接構(gòu)件可以設(shè)置在所述絕緣膜上，并且可以將所述第一信號線區(qū)段電連接到所述第二信號線區(qū)段。

所述柵極線可以包括彼此間隔開且與所述數(shù)據(jù)線間隔開的柵極線區(qū)段。

所述晶體管陣列基板可以包括光吸收層。所述光吸收層可以直接接觸并且至少部分地覆蓋所述柵極線的面和所述數(shù)據(jù)線的面中的至少一個。

所述晶體管陣列基板可以包括光吸收層。所述光吸收層可以直接接觸并且至少部分地覆蓋所述源電極的面和所述漏電極的面中的至少一個。

所述柵極線可以是柵極線并可以電連接到所述柵電極。所述數(shù)據(jù)線可以是數(shù)據(jù)線并可以電連接到所述源電極。所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線、所述源電極和所述漏電極可以包括相同的材料(或者可以由相同的材料形成)。

所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線、所述源電極和所述漏電極中的每個可以包括銅(Cu)(或者可以由銅(Cu)形成)。