[發明專利]晶體管陣列基板和制造該晶體管陣列基板的方法

在審

• 申請號: 201911399132.5
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN111508970A
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發明（設計）人: 鄭鐘鉉;金載運
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722
• 代理人: 馮志云;李英艷

1.一種晶體管陣列基板，其中，所述晶體管陣列基板包括：

基體基板，所述基體基板包括第一溝槽；

柵電極，所述柵電極設置在所述第一溝槽中；

絕緣膜，所述絕緣膜設置在所述基板上并且包括第二溝槽、第三溝槽、第四溝槽、第五溝槽和第六溝槽；

柵極線，所述柵極線被配置為傳輸柵極信號、設置在所述第二溝槽中并且在第一方向上延伸；

數據線，所述數據線被配置為傳輸數據信號、在與所述第一方向不同的第二方向上延伸并且包括第一信號線區段和第二信號線區段，所述第一信號線區段至少通過所述柵極線與所述第二信號線區段分離開并且設置在所述第三溝槽中，所述第二信號線區段設置在所述第四溝槽中；

源電極，所述源電極設置在所述第五溝槽中并且電連接到所述數據線；以及

漏電極，所述漏電極設置在所述第六溝槽中并且與所述源電極間隔開，

其中，所述柵電極電連接到所述柵極線。

2.根據權利要求1所述的晶體管陣列基板，

其中，所述第一信號線區段至少通過所述絕緣膜的第一部分和所述絕緣膜的第二部分與所述第二信號線區段分離開，并且其中，所述柵極線設置在所述絕緣膜的所述第一部分和所述絕緣膜的所述第二部分之間。

3.根據權利要求2所述的晶體管陣列基板，其中，所述晶體管陣列基板還包括：

連接構件，所述連接構件設置在所述絕緣膜上并且將所述第一信號線區段電連接到所述第二信號線區段。

4.根據權利要求1所述的晶體管陣列基板，

其中，所述柵極線包括彼此間隔開且與所述數據線間隔開的柵極線區段。

5.根據權利要求1所述的晶體管陣列基板，其中，所述晶體管陣列基板還包括：

光吸收層，所述光吸收層直接接觸并且至少部分地覆蓋所述柵極線的面和所述數據線的面中的至少一個。

6.根據權利要求1所述的晶體管陣列基板，其中，所述晶體管陣列基板還包括：

光吸收層，所述光吸收層直接接觸并且至少部分地覆蓋所述源電極的面和所述漏電極的面中的至少一個。

7.根據權利要求1所述的晶體管陣列基板，

其中，所述柵極線是電連接到所述柵電極的柵極線，其中，所述數據線是電連接到所述源電極的數據線，并且其中，所述柵極線、所述數據線、所述源電極和所述漏電極包括相同的材料。

8.根據權利要求7所述的晶體管陣列基板，

其中，所述柵極線、所述數據線、所述源電極和所述漏電極中的每個包括銅。

9.根據權利要求1所述的晶體管陣列基板，

其中，所述基體基板包括基體層和絕緣層，其中，所述基體層的材料不同于所述絕緣層的材料，并且其中，所述第一溝槽至少設置在所述絕緣層中。

10.根據權利要求9所述的晶體管陣列基板，

其中，所述柵電極直接接觸所述基體層和所述絕緣層中的每個。