[發明專利]一種構槽式功率晶體管GD端夾止結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201911397781.1
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN110957352A
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發明（設計）人: 李振道
• 申請（專利權）人: 南京融芯微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/331
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種構槽式功率晶體管GD端夾止結構，其特征在于，包括：

一硅襯底外延片（1）；

一閘極氧化層，是成長在所述已蝕刻的硅襯底外延片（1）上；

一多晶硅（Poly-Si）層（8），是沉積在所述蝕刻的溝槽內；

包括N摻雜區（6）或P摻雜區（5）或P井區（7）；

所述N摻雜區（6）和所述P摻雜區（5）在溝槽內的所述多晶硅（Poly-Si）層8中相間排列，即一個所述N摻雜區（6）挨著一個所述P摻雜區（5）再挨著一個N摻雜區（6），以此類推；

一介電層(ILD)（4），位于硅襯底外延片（1）上方；

一源極金屬層（2），連接其多晶硅內外圍的一側N摻雜區（6）；

一閘極金屬層（3），連接其多晶硅內外圍的另一側N摻雜區（6）。

2.根據權利要求1所述的一種構槽式功率晶體管GD端夾止結構，其特征在于，所述N摻雜區（6）與所述P摻雜區（5）各自的長度、深度、數量及濃度依所需特性要求不同。

3.根據權利要求1所述的一種構槽式功率晶體管GD端夾止結構，其特征在于，所述構槽式功率晶體管GD端夾止結構同樣的設計方式可用于閘極（gate）或源極（source）二端。

4.一種構槽式功率晶體管GD端夾止結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：在硅襯底外延片1上完成基本的蝕刻制程并生長所述閘極氧化層；

S2：沉積所述多晶硅（Poly-Si）層8；

S3：用第一道光罩(AA)，并進行相應第一形狀的刻蝕；

S4：對第S2步所刻蝕出的所述第一形狀進行底部圓滑處理，同時進行刻蝕后多晶硅（Poly-Si）內的P摻雜區5和P井區7制備；

S5：用第二道光罩(Poly)蝕刻出將要留的閘極氧化層區塊，接著完成多晶硅（Poly-Si）的N摻雜區6制備；

S6：進行介電層(ILD)4沉積；

S7：利用化學研磨設備(CMP)對所述介電層(ILD)4加以平坦化其表面；

S8：進行第三道光罩(Contact；

S9：在所述第三形狀位置蝕刻后，以便形成孔隙連接金屬連接；

S10：金屬(Al)層的沉積；

S11：進行第四道光罩(Metal)，從而形成所述源極金屬層2和所述閘極金屬層3。