[發(fā)明專利]一種摻雜型電子傳輸層的有機(jī)光電探測器及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911392947.0 | 申請日: | 2019-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN111162173B | 公開(公告)日: | 2022-12-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 于軍勝;王超;陳善勇;李璐 | 申請(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 成都弘毅天承知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51230 | 代理人: | 寧政 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 摻雜 電子 傳輸 有機(jī) 光電 探測器 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種摻雜型電子傳輸層的有機(jī)光電探測器,從下至上依次設(shè)置為襯底、透明導(dǎo)電陰極ITO、電子傳輸層、光活性層、空穴傳輸層和金屬陽極,所述電子傳輸層由ZnO納米顆粒溶液和摻雜PCBM混合而成,厚度為40~50nm。本發(fā)明通過優(yōu)化和修飾電子傳輸層,減少傳輸層中的缺陷,將電子傳輸層厚度提升至便于工業(yè)化生產(chǎn)的量級。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光電探測器件技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種摻雜型電子傳輸層的有機(jī)光電探測器及其制備方法。
背景技術(shù)
有機(jī)光電探測器是利用具有光電效應(yīng)的材料制成的能夠?qū)崿F(xiàn)光電轉(zhuǎn)換的傳感器。傳統(tǒng)的光探測器是用無機(jī)半導(dǎo)體材料制成,其制作工藝復(fù)雜,成本高,且不適于做大面積器件。由于有機(jī)材料具有高效的光敏感,質(zhì)輕,價廉,加工性能優(yōu)異等特點,更易制備小體積,低功耗,低成本的探測器件,能夠彌補(bǔ)了無機(jī)光探測器中普遍存在的設(shè)備昂貴、工藝復(fù)雜等缺陷。種類繁多的有機(jī)半導(dǎo)體材料也為有機(jī)光探測器件的發(fā)展和創(chuàng)新提供了很大的可選擇性,根據(jù)需要合成出具有相應(yīng)光電特性的新材料。因此有機(jī)光探測器將具有更大的研究空間和商業(yè)價值,比如在天文學(xué),環(huán)境監(jiān)測,分光和醫(yī)學(xué)檢測儀器等。
目前ZnO薄膜的制備工藝主要分為利用前驅(qū)體反應(yīng)生成ZnO的溶膠凝膠法和將合成的ZnO納米顆粒分散到溶液中直接制備成薄膜的納米顆粒法。溶膠凝膠法ZnO粒徑小,薄膜較為致密,不易形成阻礙載流子傳輸?shù)娜毕荩悄ず褚话阒荒茏龅?0nm以內(nèi),不利于實現(xiàn)大面積生產(chǎn),而且配置的過程相對復(fù)雜。大顆粒徑ZnO納米顆粒分散液制備的電子傳輸層具有與光活性層接觸面積大,膜厚較厚,便于實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點,但是采用旋涂ZnO納米顆粒分散液作為電子傳輸層時,由于ZnO納米顆粒粒徑為100nm左右,顆粒之間的間隙較大,容易形成缺陷,從而導(dǎo)致載流子的傳輸與分離受阻,同時ZnO納米顆粒薄膜的界面粗糙度相比溶膠凝膠法ZnO更為粗糙,使得器件擁有較大的界面接觸電阻與較高的載流子復(fù)合幾率,這都將嚴(yán)重制約器件的性能。因此,通過優(yōu)化和修飾電子傳輸層,減少傳輸層中的缺陷,將電子傳輸層厚度提升至便于工業(yè)化生產(chǎn)的量級,以及進(jìn)一步提升器件的探測率,是目前有機(jī)光電探測器領(lǐng)域研究的重點及難點之一。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對背景技術(shù)中存在的缺點和問題加以改進(jìn)和創(chuàng)新,提供一種摻雜型電子傳輸層的有機(jī)光電探測器及其制備方法,通過優(yōu)化和修飾電子傳輸層,減少傳輸層中的缺陷,將電子傳輸層厚度提升至便于工業(yè)化生產(chǎn)的量級。
本發(fā)明的技術(shù)方案是構(gòu)造一種摻雜型電子傳輸層的有機(jī)光電探測器,從下至上依次設(shè)置為襯底、透明導(dǎo)電陰極ITO、電子傳輸層、光活性層、空穴傳輸層和金屬陽極,所述電子傳輸層由ZnO納米顆粒溶液和摻雜PCBM混合而成,厚度為40~50nm。
優(yōu)選地,所述光活性層由電子給體材料P3HT和電子受體材料IEICO-4F混合而成,厚度為200~300nm。
優(yōu)選地,所述空穴傳輸層材料MoO3,厚度為15nm。
優(yōu)選地,所述金屬陽極材料為Ag、Al和Au中的一種或多種,薄層厚度為100nm。
優(yōu)選地,所述襯底為透明聚合物材料,所述透明聚合物材料包括聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亞胺、氯醋樹脂或聚丙烯酸中的一種或多種。
本發(fā)明還提供一種摻雜型電子傳輸層的有機(jī)光電探測器制備方法,包括以下步驟:
步驟1:對由襯底及透明導(dǎo)電陰極ITO所組成的基板進(jìn)行清洗,清洗后用氮?dú)獯蹈桑?/p>
步驟2:將ZnO納米顆粒溶液和摻雜PCBM混合配置成電子傳輸層溶液,其中摻雜的PCBM體積比為3%、5%、8%、10%、12%、15%、18%、20%,再將配置好的電子傳輸層溶液旋涂至ITO基板上,并將旋涂后的基片進(jìn)行熱退火處理,得到電子傳輸層;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于電子科技大學(xué),未經(jīng)電子科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911392947.0/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
- 有機(jī)材料和包括該有機(jī)材料的有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
- 有序的有機(jī)-有機(jī)多層生長
- 有機(jī)半導(dǎo)體材料和有機(jī)部件
- 有機(jī)水稻使用的有機(jī)肥
- 有機(jī)垃圾生物分解的有機(jī)菌肥
- 有機(jī)EL用途薄膜、以及有機(jī)EL顯示和有機(jī)EL照明





