[發(fā)明專利]一種摻雜型電子傳輸層的有機(jī)光電探測(cè)器及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911392947.0
• 申請(qǐng)日: 2019-12-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111162173B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-12-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于軍勝;王超;陳善勇;李璐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/42
• 分類號(hào): H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 成都弘毅天承知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51230
• 代理人: 寧政

1.一種摻雜型電子傳輸層的有機(jī)光電探測(cè)器，從下至上依次設(shè)置為襯底(1)、透明導(dǎo)電陰極ITO(2)、電子傳輸層(3)、光活性層(4)、空穴傳輸層(5)和金屬陽(yáng)極(6)，其特征在于，所述電子傳輸層(3)由ZnO納米顆粒溶液和摻雜PCBM混合而成，厚度為40～50nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜型電子傳輸層的有機(jī)光電探測(cè)器，其特征在于，所述光活性層(4)由電子給體材料P3HT和電子受體材料IEICO-4F混合而成，厚度為200～300nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜型電子傳輸層的有機(jī)光電探測(cè)器，其特征在于，所述空穴傳輸層(5)材料MoO₃，厚度為15nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜型電子傳輸層的有機(jī)光電探測(cè)器，其特征在于，所述金屬陽(yáng)極(6)材料為Ag、Al和Au中的一種或多種，薄層厚度為100nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的摻雜型電子傳輸層的有機(jī)光電探測(cè)器，其特征在于，所述襯底(1)為透明聚合物材料，所述透明聚合物材料包括聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亞胺、氯醋樹(shù)脂或聚丙烯酸中的一種或多種。

6.一種摻雜型電子傳輸層的有機(jī)光電探測(cè)器制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：對(duì)由襯底(1)及透明導(dǎo)電陰極ITO(2)所組成的基板進(jìn)行清洗，清洗后用氮?dú)獯蹈桑?/p>

步驟2：將ZnO納米顆粒溶液和摻雜PCBM混合配置成電子傳輸層(3)溶液，其中摻雜的PCBM體積比為3％、5％、8％、10％、12％、15％、18％、20％，再將配置好的電子傳輸層(3)溶液旋涂至ITO基板上，并將旋涂后的基片進(jìn)行熱退火處理，得到電子傳輸層(3)；

步驟3：在電子傳輸層(3)上制備光活性層(4)，將電子給體材料P3HT和電子受體材料IEICO-4F按質(zhì)量比1:1進(jìn)行混合，制得光活性層(4)溶液，再將光活性層(4)溶液旋涂電子傳輸層(3)上制備成光活性層(4)；

步驟4：在真空度為3×10³Pa條件下,在光活性層(4)表面蒸鍍MoO₃，制備得到空穴傳輸層(5)；

步驟5：在空穴傳輸層(5)上蒸鍍金屬陽(yáng)極(6)。

7.據(jù)權(quán)利要求6所述的摻雜型電子傳輸層的有機(jī)光電探測(cè)器制備方法，其特征在于，步驟2中，所述熱退火溫度為150℃，時(shí)間為15min。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的摻雜型電子傳輸層的有機(jī)光電探測(cè)器制備方法，其特征在于，步驟2中，所述熱退火方式為恒溫?zé)崤_(tái)加熱、烘箱加熱、遠(yuǎn)紅外加熱、熱風(fēng)加熱中的一種或多種。

9.據(jù)權(quán)利要求6所述的摻雜型電子傳輸層的有機(jī)光電探測(cè)器制備方法，其特征在于，步驟3中，所述光活性層(4)溶液濃度為30mg/ml。