[發(fā)明專利]器件封裝方法及器件封裝結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911382883.6 | 申請日: | 2019-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN113053762A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 汪新學(xué);向陽輝;馬云苗;王敬平 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯集成電路(寧波)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/544;H01L25/18 |
| 代理公司: | 上海知錦知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 潘彥君 |
| 地址: | 315800 浙江省寧波市北*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 器件 封裝 方法 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種器件封裝方法,其特征在于,包括:
提供襯底,并在所述襯底的同一表面固定條形偽芯片和器件芯片,固定有所述條形偽芯片和器件芯片的表面為所述襯底的正面,所述條形偽芯片將所述襯底的正面分割成至少兩個區(qū)域,所述條形偽芯片高于所述器件芯片;
對所述襯底進(jìn)行封塑工藝,形成覆蓋所述器件芯片和所述條形偽芯片的封塑層;
對所述封塑層進(jìn)行研磨,露出所述條形偽芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝方法,其特征在于,所述在所述襯底的同一表面固定條形偽芯片的步驟包括:
在所述襯底的正面,將所述條形偽芯片固定于所述器件芯片之間的間隙內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝方法,其特征在于,所述在所述襯底的同一表面固定條形偽芯片的步驟包括:
所述條形偽芯片包括端部,使所述端部與所述襯底的邊界相接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝方法,其特征在于,所述在所述襯底的同一表面固定條形偽芯片的步驟包括:
所述條形偽芯片將所述襯底的正面分割成多個區(qū)域,所述多個區(qū)域的面積相等,或者多個區(qū)域的面積比在0.9~1.1的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝方法,其特征在于,所述在所述襯底的同一表面固定條形偽芯片和器件芯片的步驟包括:多個器件芯片在所述襯底的正面進(jìn)行矩陣式排布,并在所述襯底的正面設(shè)置多個條形偽芯片,包括:相互平行的第一條形偽芯片和第二條形偽芯片,沿矩陣行向排布且貫穿襯底;相互平行的第三條形偽芯片和第四條形偽芯片,沿矩陣列向排布且位于所述第一條形偽芯片和第二條形偽芯片之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝方法,其特征在于,所述條形偽芯片的熱膨脹系數(shù)與所述襯底的熱膨脹系數(shù)相等,或者所述條形偽芯片與所述襯底的熱膨脹系數(shù)比在0.9~1.1。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝方法,其特征在于,所述條形偽芯片比所述器件芯片高30至50微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件封裝方法,其特征在于,所述條形偽芯片的寬度小于或等于所述器件芯片排布的間隔距離。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項所述的器件封裝方法,其特征在于,所述在所述襯底的同一表面固定條形偽芯片和器件芯片,包括:
將所述條形偽芯片和器件芯片粘貼于所述襯底的正面。
10.一種器件封裝結(jié)構(gòu),包括襯底,器件芯片和封塑層,其特征在于,所述器件芯片固定于所述襯底的同一表面,固定有所述器件芯片的表面為所述襯底的正面,所述封塑層覆蓋所述器件芯片和襯底的正面,所述器件封裝結(jié)構(gòu)還包括:固定于所述襯底的正面的條形偽芯片,所述條形偽芯片將所述襯底的正面分割成至少兩個區(qū)域,所述條形偽芯片高于所述器件芯片,并且所述條形偽芯片位于所述封塑層中,且從所述封塑層表面露出。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述條形偽芯片固定于所述器件芯片之間的間隙內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述條形偽芯片的端部與所述襯底的邊界相接。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述條形偽芯片將所述襯底的正面分割成多個區(qū)域,所述多個區(qū)域的面積相等,或者多個區(qū)域的面積比在0.9~1.1的范圍內(nèi)。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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