[發(fā)明專利]光學鄰近效應修正方法和系統(tǒng)、掩膜版及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911382862.4
• 申請日: 2019-12-27
• 公開（公告）號: CN113050367A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設計）人: 陳術(shù);游林
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;G03F7/20
• 代理公司: 上海知錦知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 吳凡

本發(fā)明實施例提供了一種光學鄰近效應修正方法和系統(tǒng)、掩膜版及其制備方法，所述光學鄰近效應修正方法包括：獲取待修正主圖形和所述待修正主圖形的重疊圖形及重疊邊，所述待修正主圖形和其他的主圖形按照光刻位置重疊的部分為重疊圖形，所述重疊圖形在所述待修正主圖形的外邊緣上的邊為重疊邊；在待修正的所述重疊邊的相鄰位置設置散射條輔助圖形。本發(fā)明實施例所提供的光學鄰近效應修正方法中，由于所述散射條輔助圖形設置于待修正的重疊邊的相鄰位置，可以在之后的步驟中很好地改善待修正主圖形的質(zhì)量，尤其是待修正的重疊邊所對應位置的圖形質(zhì)量，從而提高所得圖形中交錯的部分的質(zhì)量，最終可以提高所得半導體器件的合格率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施例涉及半導體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種光學鄰近效應修正方法和系統(tǒng)、掩膜版及其制備方法。

背景技術(shù)

為了達到更快的運算速度、更大的資料存儲量以及更多的功能，半導體芯片一直在向更高集成度方向發(fā)展；而半導體芯片的集成度越高，半導體器件的臨界尺寸就越小。

光刻是半導體制造的主要步驟之一，在光刻工藝中，掩模版放置于曝光光源和投影物鏡之間，曝光光源發(fā)射出的具有一定波長的光透過掩模版，通過投影物鏡使掩模版的圖形成像在待光刻的半導體晶圓上，待光刻的半導體晶圓上涂敷有光刻膠，光刻膠被光照射的部分溶解特性會發(fā)生改變，通過后續(xù)的去膠、蝕刻等的過程，從而可以將掩模版的圖形轉(zhuǎn)移到半導體晶圓上。

然而，當半導體器件的臨界尺寸接近甚至小于曝光光源的波長時，光透過掩模版時很容易發(fā)生光的干涉和衍射，這會使半導體晶圓上的圖形與掩模版的圖形之間存在一定的變形和偏差，這便是光學鄰近效應。

為了得到理想的圖形，可以通過各類光學鄰近修正方法來克服上述缺陷，其中一種方法是預先修正掩模版上的圖形，比如可以在掩模版上使用散射條輔助圖形。通過加入散射條輔助圖形，可以用來修正器件半密集區(qū)及器件孤立區(qū)的電路圖形，使其電路圖形顯得密集，增加器件半密集區(qū)及器件孤立區(qū)的電路圖形曝光后的焦深而保證足夠大的曝光工藝窗口，使得曝光步驟更加穩(wěn)定而容易操作。

半導體芯片的步驟中，需要進行很多次光刻、去膠、蝕刻等步驟的循環(huán)，在每次的刻蝕步驟完成后，都會在半導體晶圓上留下與掩膜版上的主圖形的相對應的圖形，在每一個循環(huán)中，每次留下的圖形并不完全一致，從而形成所需的微觀結(jié)構(gòu)。為了形成所需的微觀結(jié)構(gòu)，每次留下的圖形一般會有交錯的部分，而且相對于不交錯的部分，各個圖形中交錯的部分對于最后得到的半導體器件的性能影響更大。

所以，如何提高所得圖形中交錯的部分的質(zhì)量，就成為本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例解決的技術(shù)問題是如何提高所得圖形中交錯的部分的質(zhì)量。

為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供了一種光學鄰近效應修正方法，包括：

提供待修正主圖形，在所述待修正主圖形中，所述待修正主圖形和其他的主圖形按照光刻位置重疊的部分為重疊圖形，所述重疊圖形在所述待修正主圖形的外邊緣上的邊為重疊邊；

在待修正的所述重疊邊的相鄰位置設置散射條輔助圖形，所述散射條輔助圖形的設置方向與所述待修正主圖形的設置方向平行，所述散射條輔助圖形的長度小于最小曝光長度。

可選地，每個所述散射條輔助圖形對應于一個待修正的所述重疊邊。

可選地，所述散射條輔助圖形在其所對應的所述重疊邊所在直線上的投影覆蓋其所對應的所述重疊邊。

可選地，所述散射條輔助圖形關(guān)于其所對應的所述重疊邊的垂直對稱軸對稱。

可選地，每個所述散射條輔助圖形對應于兩個待修正的所述重疊邊，所述散射條輔助圖形在其所對應的任一所述重疊邊所在直線上的投影覆蓋其所對應的所述重疊邊。

可選地，所述散射條輔助圖形關(guān)于其所對應的兩個所述重疊邊所組成的組合圖形的垂直對稱軸對稱。