[發明專利]一種半導體型MoS2

在審

• 申請號: 201911381364.8
• 申請日: 2019-12-27
• 公開（公告）號: CN111146006A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 成家洪;王瑋;許鵬;劉天宇;孫瀟楠;張金濤;蘇揚;柏寄榮
• 申請（專利權）人: 常州工學院
• 主分類號: H01G9/20
• 分類號: H01G9/20;H01G9/042
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 楊靜文

本發明公開了一種半導體型MoS₂量子點修飾的TiO₂納米棒陣列復合材料的制備方法。包括：(1)制備半導體型MoS₂電極；(2)配制十六烷基溴化銨的乙腈溶液；(3)組裝電化學反應裝置；(4)通電進行電化學反應；(5)電化學反應后，將半導體型MoS₂移入有機溶劑，得混合液；(6)將混合液超聲處理后分離，取分離后上清液，得半導體型MoS₂量子點的有機溶液；(7)將TiO₂納米棒陣列樣品置于半導體型MoS₂量子點的有機溶液中并超聲處理，然后升溫熱處理，得半導體型MoS₂量子點修飾的TiO₂納米棒陣列復合材料。本發明的制備方法簡單、便于工業生產，具有廣闊的應用前景。

技術領域

本發明涉及納米材料制備技術領域，具體涉及一種半導體型MoS₂量子點修飾的TiO₂納米棒陣列復合材料的制備方法。

背景技術

近年來，光催化劑在環境治理、消毒殺菌等領域被廣泛研究。TiO₂材料具有良好的穩定性、無毒，且其具有優異的光催化特性，因此被廣泛地用作光催化劑。但TiO₂材料的能帶隙較寬約為3.0-3.2eV，因而光譜響應范圍較窄，僅能吸收紫外光區波段，所以對太陽光的利用率較低。

另一方面，半導體型MoS₂材料的能帶隙較窄約為1.2-1.9eV，且MoS₂量子點具有非常大的比表面積和極高的表面原子比，在電子、光電子器件和催化在內的多個領域都有潛在應用，備受研究者關注。在實際應用中，復合結構材料往往可以同時具備各單組分材料的特性，不僅性能上能夠形成互補作用，而且還衍生出新的協同功能。因此，構建MoS₂量子點和TiO₂復合納米材料有望在光電催化領域得到了廣泛應用。為此，本發明提出一種實驗條件較為溫和，半導體型MoS₂量子點和TiO₂復合納米材料的制備方法。

發明內容

本發明的目的在于提供一種簡單、便于工業生產的半導體型MoS₂量子點修飾的TiO₂納米棒陣列復合材料的制備方法。

本發明是通過如下技術方案實現的：

一種半導體型MoS₂量子點修飾的TiO₂納米棒陣列復合材料的制備方法，包括如下步驟：

(1)以半導體型MoS₂粉體為原料、玻璃為襯底，制備半導體型MoS₂電極；

(2)配制十六烷基溴化銨的乙腈溶液；

(3)以半導體型MoS₂電極為陰極，以十六烷基溴化銨的乙腈溶液為電解液，以碳棒電極為陽極，組裝電化學反應裝置；

(4)對電化學反應裝置通電，進行電化學反應；

(5)電化學反應后，將陰極上的半導體型MoS₂移入有機溶劑中，得到混合液；

(6)將混合液超聲處理，然后離心分離，取分離后的上清液，得到半導體型MoS₂量子點的有機溶液；

(7)將TiO₂納米棒陣列樣品置于半導體型MoS₂量子點的有機溶液中并超聲處理，取出樣品后,進行升溫熱處理，即得到半導體型MoS₂量子點修飾的TiO₂納米棒陣列復合材料。