[發明專利]一種半導體型MoS2 在審
| 申請號： | 201911381364.8 | 申請日： | 2019-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN111146006A | 公開（公告）日： | 2020-05-12 |
| 發明（設計）人： | 成家洪;王瑋;許鵬;劉天宇;孫瀟楠;張金濤;蘇揚;柏寄榮 | 申請（專利權）人： | 常州工學院 |
| 主分類號： | H01G9/20 | 分類號： | H01G9/20;H01G9/042 |
| 代理公司： | 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 楊靜文 |
| 地址： | 213032 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 mos base sub | ||
1.一種半導體型MoS2量子點修飾的TiO2納米棒陣列復合材料的制備方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：
(1)以半導體型MoS2粉體為原料、玻璃為襯底，制備半導體型MoS2電極；
(2)配制十六烷基溴化銨的乙腈溶液；
(3)以半導體型MoS2電極為陰極，以十六烷基溴化銨的乙腈溶液為電解液，以碳棒電極為陽極，組裝電化學反應裝置；
(4)對電化學反應裝置通電，進行電化學反應；
(5)電化學反應后，將陰極上的半導體型MoS2移入有機溶劑中，得到混合液；
(6)將混合液超聲處理，然后離心分離，取分離后的上清液，得到半導體型MoS2量子點的有機溶液；
(7)將TiO2納米棒陣列樣品置于半導體型MoS2量子點的有機溶液中并超聲處理，取出樣品后,進行升溫熱處理，即得到半導體型MoS2量子點修飾的TiO2納米棒陣列復合材料。
2.根據權利要求1所述的一種半導體型MoS2量子點修飾的TiO2納米棒陣列復合材料的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述制備半導體型MoS2電極，包括如下步驟：①常溫下將半導體型MoS2粉體，置于有機溶劑中攪拌，制得半導體型MoS2的有機懸浮液；②將半導體型MoS2的有機懸浮液涂于玻璃襯底上，干燥，制得半導體型MoS2電極。
3.根據權利要求2所述的一種半導體型MoS2量子點修飾的TiO2納米棒陣列復合材料的制備方法，其特征在于，所述半導體型MoS2電極的制備步驟，步驟①中所述有機溶劑為乙醇、甲醇、N-甲基吡咯烷酮中任一種,所述半導體型MoS2的有機懸浮液的濃度為1-20mg/ml；步驟②中所述干燥溫度為60-90℃，干燥時間為30-60分鐘，所述玻璃襯底尺寸為0.1-1cm2。
4.根據權利要求1所述的一種半導體型MoS2量子點修飾的TiO2納米棒陣列復合材料的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述十六烷基溴化銨的乙腈溶液的濃度為5-15mg/ml。
5.根據權利要求1所述的一種半導體型MoS2量子點修飾的TiO2納米棒陣列復合材料的制備方法，其特征在于，步驟(3)中所述半導體型MoS2電極與所述碳棒電極間距離為0.5-1.5cm。
6.根據權利要求1所述的一種半導體型MoS2量子點修飾的TiO2納米棒陣列復合材料的制備方法，其特征在于，步驟(4)中所述電化學反應的電壓為5V-12V，所述電化學反應的時間為60-150分鐘。
7.根據權利要求1所述的一種半導體型MoS2量子點修飾的TiO2納米棒陣列復合材料的制備方法，其特征在于，步驟(5)中所述有機溶劑以為N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮中任一種。
8.根據權利要求1所述的一種半導體型MoS2量子點修飾的TiO2納米棒陣列復合材料的制備方法，其特征在于，步驟(6)中所述超聲處理時間為20-80分鐘，所述離心分離時間為10-30分鐘，且離心機的轉速為8000-10000rpm。
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