[發(fā)明專利]光學(xué)鄰近修正方法及掩膜版

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911380223.4
• 申請日: 2019-12-27
• 公開（公告）號: CN113050362A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李甲兮;張婉娟;丁麗華;柏鋒;陳權(quán)
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 上海知錦知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜

一種光學(xué)鄰近修正方法及掩膜版，光學(xué)鄰近修正方法適用于具有弧形狹縫的光刻系統(tǒng)，光學(xué)鄰近修正方法包括：提供原始版圖圖形；對所述原始版圖圖形進(jìn)行輪廓修正處理，所述輪廓修正處理適于將所述原始版圖圖形變?yōu)榕c所述弧形狹縫一致的弧形圖形，所述弧形圖形用于作為修正后版圖圖形。本發(fā)明通過將所述原始版圖圖形變?yōu)榕c所述弧形狹縫一致的弧形圖形，從而改善或消除狹縫效應(yīng)，進(jìn)而降低建立光學(xué)鄰近修正模型的復(fù)雜性和錯誤率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種光學(xué)鄰近修正方法及掩膜版。

背景技術(shù)

光刻技術(shù)是半導(dǎo)體制作技術(shù)中至關(guān)重要的一項技術(shù)，光刻技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)將所需圖形從掩膜版中轉(zhuǎn)移到硅片上，形成符合設(shè)計要求的半導(dǎo)體產(chǎn)品。具體地，光刻技術(shù)通過曝光將圖形成像到設(shè)置在硅片上的光刻膠層(材料為光敏感的抗蝕劑)中而實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，光刻所要曝光的圖形特征尺寸越來越小，要求光刻的分辨率越來越高，而光刻的分辨率主要體現(xiàn)在CD(critical dimension)上，CD是待曝光圖形的關(guān)鍵尺寸(或臨界尺寸)。CD的減小可以由三種途徑實現(xiàn)：減小曝光波長、增大數(shù)值孔徑或減小光刻因子。

為了通過減小曝光波長來獲得特征尺寸較小的曝光圖形，極紫外(extremeultraviolet，EUV)光已被研究應(yīng)用于光刻中。但是，不同于DUV(deep ultraviolet，深紫外)光等光刻設(shè)備，在EUV光刻過程中，光刻設(shè)備上的狹縫(slit)為弧形，我們需要考慮一系列因狹縫效應(yīng)所引起的變化，例如陰影效用、像差和光照等，因此，需要設(shè)計相對應(yīng)的光刻模型來實現(xiàn)曝光過程。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例解決的問題是提供一種光學(xué)鄰近修正方法及掩膜版，降低建立光學(xué)鄰近修正模型的復(fù)雜性和錯誤率。

為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供一種光學(xué)鄰近修正方法，適用于具有弧形狹縫的光刻系統(tǒng)，包括：提供掩膜版圖，所述掩膜版圖包括原始版圖圖形；對所述原始版圖圖形進(jìn)行輪廓修正處理，所述輪廓修正處理適于將所述原始版圖圖形變?yōu)榕c所述弧形狹縫一致的弧形圖形，所述弧形圖形用于作為修正后版圖圖形。

可選的，對所述原始版圖圖形進(jìn)行輪廓修正處理之前，還包括：采用光學(xué)鄰近修正模型對所述原始版圖圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正。

可選的，所述提供掩膜版圖的步驟中，所述掩膜版圖存儲于版圖文件中，所述版圖文件具有平面坐標(biāo)系，所述平面坐標(biāo)系包括相垂直的橫坐標(biāo)和縱坐標(biāo)；對所述原始版圖圖形進(jìn)行輪廓修正處理之前，還包括：建立偏移補(bǔ)償模型，所述偏移補(bǔ)償模型適于確定所述原始版圖圖形的輪廓的縱坐標(biāo)偏移量；根據(jù)所述偏移補(bǔ)償模型，對所述原始版圖圖形進(jìn)行輪廓修正處理。

可選的，所述提供原始版圖圖形的步驟中，所述光刻系統(tǒng)的入射主光線與所述原始版圖圖形之間具有第一主射線方位角；所述建立偏移補(bǔ)償模型的步驟中，所述原始版圖圖形的輪廓在不同位置處的縱坐標(biāo)偏移量與相對應(yīng)位置處的橫坐標(biāo)和第一主射線方位角相關(guān)。

可選的，采用公式(Ⅰ)作為所述偏移補(bǔ)償模型，

其中，Δy表示所述原始版圖圖形的輪廓的縱坐標(biāo)偏移量，L_{mask_x}表示所述掩膜版圖沿橫坐標(biāo)方向的總寬度，表示所述弧形狹縫的圓心角，表示所述原始版圖圖形的不同位置處的第一主射線方位角，表示所述原始版圖圖形的第一主射線方位角的最小值。

可選的，利用公式(Ⅱ)和公式(Ⅲ)獲得所述偏移補(bǔ)償模型，

其中，R表示所述弧形圖形的半徑。