[發(fā)明專利]光學(xué)鄰近修正方法及掩膜版

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911380223.4
• 申請(qǐng)日: 2019-12-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113050362A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李甲兮;張婉娟;丁麗華;柏鋒;陳權(quán)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/36
• 分類號(hào): G03F1/36
• 代理公司: 上海知錦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜

1.一種光學(xué)鄰近修正方法，適用于具有弧形狹縫的光刻系統(tǒng)，其特征在于，包括：

提供掩膜版圖，所述掩膜版圖包括原始版圖圖形；

對(duì)所述原始版圖圖形進(jìn)行輪廓修正處理，所述輪廓修正處理適于將所述原始版圖圖形變?yōu)榕c所述弧形狹縫一致的弧形圖形，所述弧形圖形用于作為修正后版圖圖形。

2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)鄰近修正方法，其特征在于，對(duì)所述原始版圖圖形進(jìn)行輪廓修正處理之前，還包括：采用光學(xué)鄰近修正模型對(duì)所述原始版圖圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正。

3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)鄰近修正方法，其特征在于，所述提供掩膜版圖的步驟中，所述掩膜版圖存儲(chǔ)于版圖文件中，所述版圖文件具有平面坐標(biāo)系，所述平面坐標(biāo)系包括相垂直的橫坐標(biāo)和縱坐標(biāo)；

對(duì)所述原始版圖圖形進(jìn)行輪廓修正處理之前，還包括：建立偏移補(bǔ)償模型，所述偏移補(bǔ)償模型適于確定所述原始版圖圖形的輪廓的縱坐標(biāo)偏移量；

根據(jù)所述偏移補(bǔ)償模型，對(duì)所述原始版圖圖形進(jìn)行輪廓修正處理。

4.如權(quán)利要求3所述的光學(xué)鄰近修正方法，其特征在于，所述提供原始版圖圖形的步驟中，所述光刻系統(tǒng)的入射主光線與所述原始版圖圖形之間具有第一主射線方位角；

所述建立偏移補(bǔ)償模型的步驟中，所述原始版圖圖形的輪廓在不同位置處的縱坐標(biāo)偏移量與相對(duì)應(yīng)位置處的橫坐標(biāo)和第一主射線方位角相關(guān)。

5.如權(quán)利要求4所述的光學(xué)鄰近修正方法，其特征在于，采用公式(Ⅰ)作為所述偏移補(bǔ)償模型，

其中，Δy表示所述原始版圖圖形的輪廓的縱坐標(biāo)偏移量，L_{mask_x}表示所述掩膜版圖沿橫坐標(biāo)方向的總寬度，表示所述弧形狹縫的圓心角，表示所述原始版圖圖形的不同位置處的第一主射線方位角，表示所述原始版圖圖形的第一主射線方位角的最小值。

6.如權(quán)利要求5所述的光學(xué)鄰近修正方法，其特征在于，利用公式(Ⅱ)和公式(Ⅲ)獲得所述偏移補(bǔ)償模型，

其中，R表示所述弧形圖形的半徑。

7.如權(quán)利要求1或3所述的光學(xué)鄰近修正方法，其特征在于，對(duì)所述原始版圖圖形進(jìn)行輪廓修正處理的步驟中，所述輪廓修正處理適于使所述光刻系統(tǒng)的入射主光線與所述弧形圖形之間具有第二主射線方位角，且在所述弧形圖形的輪廓的不同位置處，所述第二主射線方位角均為90°。

8.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)鄰近修正方法，其特征在于，所述提供掩膜版圖的步驟中，所述光刻系統(tǒng)的入射主光線與所述原始版圖圖形之間具有第一主射線方位角，所述第一主射線方位角為70°至110°。

9.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)鄰近修正方法，其特征在于，所述光刻系統(tǒng)為EUV光刻系統(tǒng)。

10.如權(quán)利要求2所述的光學(xué)鄰近修正方法，其特征在于，采用基于模型的光學(xué)鄰近修正模型，對(duì)所述原始版圖圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正。

11.一種掩膜版，其特征在于，包括：采用修正后版圖圖形形成的掩膜圖形，所述修正后版圖圖形根據(jù)權(quán)利要求1至10任意一項(xiàng)光學(xué)鄰近修正方法獲得。