[發(fā)明專利]一種基于扇出型封裝工藝的芯片封裝方法及芯片封裝結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911379301.9
• 申請日: 2019-12-27
• 公開（公告）號: CN111128760B
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設計）人: 崔成強;楊冠南;匡自亮;徐廣東;王鵬宇;陳新
• 申請（專利權）人: 廣東工業(yè)大學
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31
• 代理公司: 佛山市禾才知識產(chǎn)權代理有限公司 44379
• 代理人: 資凱亮;劉穎

1.一種基于扇出型封裝工藝的芯片封裝方法，其特征在于，包括如下內容：

a)在基板上表面涂覆設置一層隔離層；

b)在所述隔離層上壓合設置一層介電層；

c)在高溫環(huán)境下，將芯片按照face down取向熱壓入所述介電層，使得芯片底部的凸點不與所述介電層融合；

d)保持高溫環(huán)境，進行注塑，使得芯片和介電層被注塑材料填充覆蓋，冷卻固化得到固化芯片結構；

e)移除基板和隔離層，獲得半成品芯片結構；

f)利用激光打孔或等離子清洗的方式在半成品芯片結構的底部進行處理，使得芯片的凸點露出，再經(jīng)過圖案鈍化、再布線、沉積下金屬層和刻蝕嵌入球柵網(wǎng)格陣列工藝后，得到芯片封裝結構；

步驟a)和步驟e)中，涂覆設置所述隔離層的材料為：聚四氟或聚氯乙烯；

步驟c)和步驟d)中，所述高溫環(huán)境范圍為：130℃-200℃；

步驟b)中，所述介電層為：ABF材料層；

步驟f)中，還包括入下內容:

預先判斷固化芯片結構，當所述芯片在步驟c)中，壓入所述介電層后，凸點與所述隔離層有接觸，則對所述半成品芯片結構的底部進行等離子清洗，使得芯片的凸點外露；當所述芯片在步驟c)中，壓入所述介電層后，凸點與所述隔離層沒有接觸，則對所述半成品芯片結構的底部進行激光打孔，使得芯片的凸點外露。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種基于扇出型封裝工藝的芯片封裝方法，其特征在于，步驟a)中和步驟e)中所述基板為玻璃板。