[發(fā)明專利]一種通過(guò)襯底調(diào)控電卡性能薄膜的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911377429.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111128682A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 彭彪林;姜錦濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣西大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/02 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/02 |
| 代理公司: | 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人: | 盧波 |
| 地址: | 530004 廣西*** | 國(guó)省代碼: | 廣西;45 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 通過(guò) 襯底 調(diào)控 性能 薄膜 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及鐵電薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種通過(guò)襯底調(diào)控電卡性能薄膜的制備方法,屬于化學(xué)工程技術(shù)領(lǐng)域。一種通過(guò)襯底調(diào)控電卡性能薄膜的制備方法,是將LaNiO3前驅(qū)體溶液旋涂于襯底之上,制得第一濕膜,干燥、熱解、退火制得一層LaNiO3薄膜;重復(fù)前面步驟制得具有多層LaNiO3/襯底的復(fù)合基底;將Pb0.78Ba0.2La0.02ZrO3前驅(qū)體溶液旋涂于復(fù)合基底之上,制得第二濕膜,干燥、熱解、退火制得一層Pb0.78Ba0.2La0.02ZrO3薄膜;重復(fù)前面步驟,制得多層Pb0.78Ba0.2La0.02ZrO3薄膜。本發(fā)明可獲得具有純度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度大、電卡效應(yīng)大等優(yōu)點(diǎn)的薄膜。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及鐵電薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種通過(guò)襯底調(diào)控電卡性能薄膜的制備方法,屬于化學(xué)工程技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
隨著電子、信息和控制技術(shù)朝著微型化、高集成化方向的發(fā)展,以及高科技領(lǐng)域?qū)τ诳焖僦评涞男枨螅咝实墓虘B(tài)制冷技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)被提上日程。作為壓電材料的一類(lèi)分支,鐵電體材料因其具有在外加電場(chǎng)下的電卡特性使得其成為優(yōu)秀候選材料。目前對(duì)鐵電材料電卡效應(yīng)的研究主要集中在陶瓷和以Si基半導(dǎo)體為襯底的薄膜研究領(lǐng)域,比如研究了PbxSr1-xTiO3體系中各成分的電卡效應(yīng),比如研究了鉑金襯底上Pb0.8Ba0.2ZrO3薄膜中的電卡效應(yīng)。由于鐵電薄膜的應(yīng)用非常廣泛,不同的應(yīng)用對(duì)其提出了不同的要求,現(xiàn)有的鐵電薄膜很難完全滿足應(yīng)用的要求,因此,探索研制新型的鐵電薄膜具有非常重要的意義。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處,本發(fā)明提供了一種通過(guò)襯底調(diào)控電卡性能薄膜的制備方法,本發(fā)明通過(guò)溶膠凝膠合成法在不同基底上面制備出的Pb0.78Ba0.2La0.02ZrO3薄膜材料具有較大的電卡效應(yīng),可以通過(guò)改變襯底的種類(lèi)來(lái)調(diào)控薄膜的電卡性能。
本發(fā)明的目的通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種通過(guò)襯底調(diào)控電卡性能薄膜的制備方法,包括以下步驟:
1)將LaNiO3前驅(qū)體溶液旋涂于襯底之上,制得第一濕膜;
2)將第一濕膜干燥、熱解、退火制得一層LaNiO3薄膜;
3)重復(fù)步驟1)~2),制得具有多層LaNiO3/襯底的復(fù)合基底;
4)將Pb0.78Ba0.2La0.02ZrO3前驅(qū)體溶液旋涂于步驟3)所制得的復(fù)合基底之上,制得第二濕膜;
5)將第二濕膜干燥、熱解、退火制得一層Pb0.78Ba0.2La0.02ZrO3薄膜;
6)重復(fù)步驟4)~5),制得多層Pb0.78Ba0.2La0.02ZrO3薄膜;
其中,步驟1)所述襯底為Pt(111)/TiOx/SiO2/Si(100)、n-type GaN和p-type GaN中的任一一種。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





