[發明專利]一種通過襯底調控電卡性能薄膜的制備方法在審
| 申請號: | 201911377429.1 | 申請日: | 2019-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN111128682A | 公開(公告)日: | 2020-05-08 |
| 發明(設計)人: | 彭彪林;姜錦濤 | 申請(專利權)人: | 廣西大學 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人: | 盧波 |
| 地址: | 530004 廣西*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 通過 襯底 調控 性能 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種通過襯底調控電卡性能薄膜的制備方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
1)將LaNiO3前驅體溶液旋涂于襯底之上,制得第一濕膜;
2)將第一濕膜干燥、熱解、退火制得一層LaNiO3薄膜;
3)重復步驟1)~2),制得具有多層LaNiO3/襯底的復合基底;
4)將Pb0.78Ba0.2La0.02ZrO3前驅體溶液旋涂于步驟3)所制得的復合基底之上,制得第二濕膜;
5)將第二濕膜干燥、熱解、退火制得一層Pb0.78Ba0.2La0.02ZrO3薄膜;
6)重復步驟4)~5),制得多層Pb0.78Ba0.2La0.02ZrO3薄膜;
其中,步驟1)所述襯底為Pt(111)/TiOx/SiO2/Si(100)、n-type GaN和p-type GaN中的任一一種。
2.根據權利要求1所述的通過襯底調控電卡性能薄膜的制備方法,其特征在于,步驟1)所述的LaNiO3前驅體溶液是由Ni(CH3COO)2、La(NO3)3溶解于冰醋酸、水和甲酰胺的混合溶液中放置20~30小時,制得濃度為0.3M的LaNiO3前驅體溶液。
3.根據權利要求2所述的通過襯底調控電卡性能薄膜的制備方法,其特征在于,步驟1)所述旋涂的轉速為4000~6000rpm,旋涂時間為30~60s。
4.根據權利要求1所述的通過襯底調控電卡性能薄膜的制備方法,其特征在于,步驟2)所述干燥溫度為180~250℃,干燥時間為3~5min;熱解溫度為450~600℃,熱解時間為10~15min;退火溫度為700~800℃,退火時間為5~10min。
5.根據權利要求1-4任一所述的通過襯底調控電卡性能薄膜的制備方法,其特征在于,步驟3)制得具有6層LaNiO3/襯底的復合基底。
6.根據權利要求1所述的通過襯底調控電卡性能薄膜的制備方法,其特征在于,步驟4)Pb0.78Ba0.2La0.02ZrO3前驅體溶液制備方法如下:
將原料Pb(CH3COO)3、Ba(CH3COO)2和C6H9O6La·xH2O于120℃溶解在冰醋酸和去離子水的第一混合液體中,將Zr(OC3H7)4于室溫溶解在冰醋酸和CH3COCH2COCH3的第二混合液體中,將第一混合液體和第二混合液體于100~150℃攪拌混合30min,并放置24~30h,得到濃度為0.2M的Pb0.78Ba0.2La0.02ZrO3前驅體溶液。
7.根據權利要求6所述的通過襯底調控電卡性能薄膜的制備方法,其特征在于,步驟4)所述旋涂的轉速為4000~6000rpm,旋涂時間為30~40s。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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