[發明專利]一種硅基OLED微顯示器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201911377413.0
• 申請日: 2019-12-27
• 公開（公告）號: CN111029397A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 葉成;喬輝;何光友;任清江;趙錚濤
• 申請（專利權）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 王冰冰

本發明公開了一種硅基OLED微顯示器件及其制備方法，硅基OLED微顯示器件包括含CMOS驅動電路的硅基板，所述硅基板上設有由下到上依次設置的陽極層、OLED顯示器件、封裝層、濾光層和水汽阻隔膜。本發明通過優化結構設置，之后通過硅基板CMP減薄，將微顯示器件總厚度控制在100μm左右，重量是市場上現有微顯示器件的1/13，極大得解決了微顯示器件的輕薄化問題。

技術領域

本發明屬于顯示器件技術領域，具體涉及一種硅基OLED微顯示器件及其制備方法。

背景技術

微型OLED顯示器指的是顯示尺寸在1英寸之下，基于硅基CMOS驅動的有機發光器件，像素高達800×600以上，硅基OLED(Organic Light Emitting Display)被稱為下一代顯示技術的黑馬，現已廣泛應用于機戴頭盔、槍瞄、夜視儀等軍用市場，并且隨著AR/VR以及自動駕駛等新技術的應用，硅基OLED微顯示器將迎來爆發式的增長。隨著未來微顯示技術的發展，輕薄、低功耗的微顯示產品才能更加滿足消費者的日益需求。目前市場上硅基OLED微顯示器件，厚度為725μm硅晶圓作為基底，厚度為500μm蓋板玻璃保護顯示層。

然而，總厚度將近1300μm的微顯示器件，重量較重，消費者體驗較差。另外，傳統的OLED微顯示器件的制作工藝中，采用的是先機械劃片再小片玻璃貼合的技術，工藝復雜。采用玻璃蓋板的OLED微顯示器件相對較厚重，不利于消費者輕薄化的需求。

發明內容

本發明旨在解決現有技術中存在的技術問題。為此，本發明提供一種硅基OLED微顯示器件及其制備方法，目的是優化結構設置，便于后續減薄形成超薄微顯示器件。

為了實現上述目的，本發明采取的技術方案為：

一種硅基OLED微顯示器件，包括含CMOS驅動電路的硅基板，所述硅基板上設有由下到上依次設置的陽極層、OLED顯示器件、封裝層、濾光層和水汽阻隔膜。

所述陽極層為Al、Au、Ag、Cr、Mo、Pt、Cu、W、Ti或TiN層。

所述OLED顯示器件包括發光層和陰極層，所述陰極層為半透明結構。

所述封裝層由有機材料層與無機材料層交替沉積而成。

所述濾光層為彩色濾光片。

所述水汽阻隔膜為PEN膜。

所述水汽阻隔膜上貼合有研磨保護膜。

所述硅基OLED微顯示器件的制備方法，包括如下步驟：

步驟一、在含CMOS驅動電路的硅基板上制備陽極層；

步驟二、在陽極層上熱蒸鍍OLED顯示器件；

步驟三、對OLED顯示器件封裝以形成薄膜封裝層；

步驟四、在薄膜封裝層上制備RGB彩色濾光片，形成濾光層；

步驟五、在濾光層上涂布水汽阻隔膜；

步驟六、在水汽阻隔膜上貼合研磨保護膜，對硅基板進行CMP減薄；

步驟七、減薄后將研磨保護膜揭掉；

步驟八、對減薄后的集成有CMOS驅動電路、OLED顯示器件、薄膜封裝層、濾光層和水汽阻隔膜的硅基板進行切割，形成單個尺寸在1寸以內的硅基微顯示芯片。

所述步驟一中制作陽極層是采用蒸鍍或濺射的方式形成，材料選自Al、Au、Ag、Cr、Mo、Pt、Cu、W、Ti或TiN。

所述步驟二中熱蒸鍍的環境真空度＜6×10^-4Pa。通過控制此參數下的環境真空度，能夠保證蒸鍍出合適需求的OLED顯示器件。