[發明專利]一種硅基OLED微顯示器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201911377413.0
• 申請日: 2019-12-27
• 公開（公告）號: CN111029397A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 葉成;喬輝;何光友;任清江;趙錚濤
• 申請（專利權）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 王冰冰

1.一種硅基OLED微顯示器件，包括含CMOS驅動電路的硅基板，其特征在于，所述硅基板上設有由下到上依次設置的陽極層、OLED顯示器件、封裝層、濾光層和水汽阻隔膜。

2.根據權利要求1所述硅基OLED微顯示器件，其特征在于，所述陽極層為Al、Au、Ag、Cr、Mo、Pt、Cu、W、Ti或TiN層。

3.根據權利要求1所述硅基OLED微顯示器件，其特征在于，所述OLED顯示器件包括發光層和陰極層，所述陰極層為半透明結構。

4.根據權利要求1所述硅基OLED微顯示器件，其特征在于，所述封裝層由有機材料層與無機材料層交替沉積而成。

5.根據權利要求1所述硅基OLED微顯示器件，其特征在于，所述濾光層為彩色濾光片。

6.根據權利要求1所述硅基OLED微顯示器件，其特征在于，所述水汽阻隔膜為PEN膜。

7.根據權利要求1所述硅基OLED微顯示器件，其特征在于，所述水汽阻隔膜上貼合有研磨保護膜。

8.根據權利要求1-7任一項所述硅基OLED微顯示器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、在含CMOS驅動電路的硅基板上制備陽極層；

步驟二、在陽極層上熱蒸鍍OLED顯示器件；

步驟三、對OLED顯示器件封裝以形成薄膜封裝層；

步驟四、在薄膜封裝層上制備RGB彩色濾光片，形成濾光層；

步驟五、在濾光層上涂布水汽阻隔膜；

步驟六、在水汽阻隔膜上貼合研磨保護膜，對硅基板進行CMP減薄；

步驟七、減薄后將研磨保護膜揭掉；

步驟八、對減薄后的集成有CMOS驅動電路、OLED顯示器件、薄膜封裝層、濾光層和水汽阻隔膜的硅基板進行切割，形成單個尺寸在1寸以內的硅基微顯示芯片。

9.根據權利要求8所述硅基OLED微顯示器件的制備方法，其特征在于，所述水汽阻隔膜為PEN膜，透光率≥98％，水氧阻隔率＜10^-4g/m²/day，厚度≤100μm。

10.根據權利要求8所述硅基OLED微顯示器件的制備方法，其特征在于，所述研磨保護膜為BG膜，CMP減薄方式為干磨，干磨過程中通入冷卻水保持溫度≤100℃，通過粗磨、精磨及超精磨，將硅基板從725μm減薄至≤100μm。