[發明專利]射頻引入裝置及半導體加工設備

在審

• 申請號: 201911376061.7
• 申請日: 2019-12-27
• 公開（公告）號: CN111139460A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 姜艷杰;王曉飛
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C16/509
• 分類號: C23C16/509;C23C16/458;H01L31/18
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

本申請實施例提供了一種射頻引入裝置及半導體加工設備。該射頻引入裝置用于向位于半導體工藝爐內部的晶舟引入射頻，包括：支撐機構、前射頻機構及后射頻機構；支撐機構包括支撐桿，且支撐桿的第一端與半導體工藝爐的爐口連接，支撐桿的第二端與半導體工藝爐的爐尾連接；前射頻機構及后射頻機構并列設置于支撐桿上，用于承載晶舟；前射頻機構靠近支撐桿的第一端設置，后射頻機構靠近支撐桿的第二端設置；前射頻機構與晶舟的一端電連接，后射頻機構與晶舟的另一端電連接。本申請實施例實現了對晶舟的射頻進行雙向引入，從而改變半導體工藝爐內晶舟正負極間的電流方向，進而改善了工藝的均勻性和鈍化效果。

技術領域

本申請涉及半導體加工技術領域，具體而言，本申請涉及一種射頻引入裝置及半導體加工設備。

背景技術

目前，太陽能電池是解決日益嚴峻的能源及環境問題的重要選項，而晶硅電池由于其在成本及效率等多方面的優勢，在整個光伏產業中始終占據舉足輕重的市場份額。經過多年的研究和發展，人們已經認識到光管理(Light Management)和鈍化(Passivating)是提高晶硅電池效率的有效途徑。一般而言，光管理主要是對電池受光面的處理，包括表面織構化及增加減反射膜，從而極大地提高對入射太陽光的吸收；鈍化則是在電池前后表面淀積某些介電材料，以減少表面缺陷所導致的分子復合。

在晶硅電池的實際生產過程中，減反射膜和/或鈍化膜的制備普遍采用等離子體增強化學的氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)設備來實現。例如，對于在晶硅電池產業中占主導地位的鋁背場P型電池，N型發射極表面(即受光面)均利用PECVD設備淀積SiNx:H，可同時起減反射和鈍化作用；對于目前正在崛起的鈍化發射極和背面電池(Passivated Emitterand Rear Cell,PERC)，AlOx/SiNx疊層被認為具有更佳的背鈍化效果，而這兩層薄膜均可用PECVD設備進行制備。現有技術中的一般采用晶舟承載晶硅電池的基片，然后將晶舟置入PECVD設備中進行工藝。但是由于現有電極與晶舟的連接方式，導致工藝性能不佳；另外每次工藝時均需將晶舟與設備的電極進行連接，操作較為不便影響了工藝效率，并且影響了安全性及穩定性。

發明內容

本申請針對現有方式的缺點，提出一種射頻引入裝置及半導體加工設備，用以解決現有技術存在工藝性能不佳、工藝效率較低以及安全穩定性不佳的技術問題。

第一個方面，本申請實施例提供了一種射頻引入裝置，用于向位于半導體工藝爐內部的晶舟引入射頻，包括：支撐機構、前射頻機構及后射頻機構；所述支撐機構包括支撐桿，且所述支撐桿的第一端與所述半導體工藝爐的爐口連接，所述支撐桿的第二端與半導體工藝爐的爐尾連接；所述前射頻機構及所述后射頻機構并列設置于所述支撐桿上，用于承載所述晶舟；所述前射頻機構靠近所述支撐桿的第一端設置，所述后射頻機構靠近所述支撐桿的第二端設置；所述前射頻機構與所述晶舟的一端電連接，所述后射頻機構與所述晶舟的另一端電連接。

于本申請的一實施例中，所述支撐機構包括并列設置的兩個所述支撐桿，并且所述支撐桿的第一端、第二端均與所述半導體工藝爐的法蘭連接。

于本申請的一實施例中，所述前射頻機構包括兩個前承載塊，兩個所述前承載塊分別套設于兩個所述支撐桿上，用于承載所述晶舟的前端；所述后射頻機構包括兩個后承載塊，兩個所述后承載塊分別套設于兩個所述支撐桿上，用于承載所述晶舟的后端；所述前射頻機構還包括前引入件及前引入部，所述前引入件設置于所述支撐桿上，并且位于所述后射頻機構與所述支撐桿的第二端之間，所述前引入件與所述前引入部電連接；所述前射頻機構還包括有連接桿，所述連接桿的兩端分別與所述前承載塊及所述前引入件電連接。

于本申請的一實施例中，所述連接桿包覆有絕緣套。

于本申請的一實施例中，所述前射頻機構還包括有定位件，所述定位件固定設置于所述支撐桿上，用于定位所述前承載塊。