[發明專利]射頻引入裝置及半導體加工設備在審
| 申請號: | 201911376061.7 | 申請日: | 2019-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN111139460A | 公開(公告)日: | 2020-05-12 |
| 發明(設計)人: | 姜艷杰;王曉飛 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/509 | 分類號: | C23C16/509;C23C16/458;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 射頻 引入 裝置 半導體 加工 設備 | ||
1.一種射頻引入裝置,用于向位于半導體工藝爐內部的晶舟引入射頻,其特征在于,包括:支撐機構、前射頻機構及后射頻機構;
所述支撐機構包括支撐桿,且所述支撐桿的第一端與所述半導體工藝爐的爐口連接,所述支撐桿的第二端與半導體工藝爐的爐尾連接;
所述前射頻機構及所述后射頻機構并列設置于所述支撐桿上,用于承載所述晶舟;
所述前射頻機構靠近所述支撐桿的第一端設置,所述后射頻機構靠近所述支撐桿的第二端設置;
所述前射頻機構與所述晶舟的一端電連接,所述后射頻機構與所述晶舟的另一端電連接。
2.如權利要求1所述的射頻引入裝置,其特征在于,所述支撐機構包括并列設置的兩個所述支撐桿,并且所述支撐桿的第一端、第二端均與所述半導體工藝爐的法蘭連接。
3.如權利要求2所述的射頻引入裝置,其特征在于,
所述前射頻機構包括兩個前承載塊,兩個所述前承載塊分別套設于兩個所述支撐桿上,用于承載所述晶舟的前端;所述后射頻機構包括兩個后承載塊,兩個所述后承載塊分別套設于兩個所述支撐桿上,用于承載所述晶舟的后端;
所述前射頻機構還包括前引入件及前引入部,所述前引入件設置于所述支撐桿上,并且位于所述后射頻機構與所述支撐桿的第二端之間,所述前引入件與所述前引入部電連接;
所述前射頻機構還包括有連接桿,所述連接桿的兩端分別與所述前承載塊及所述前引入件電連接。
4.如權利要求3所述的射頻引入裝置,其特征在于,所述連接桿包覆有絕緣套。
5.如權利要求3所述的射頻引入裝置,其特征在于,所述前射頻機構還包括有定位件,所述定位件固定設置于所述支撐桿上,用于定位所述前承載塊。
6.如權利要求5所述的射頻引入裝置,其特征在于,所述定位件上設置有凸塊,所述前承載塊上設置有卡槽,所述凸塊與所述卡槽配合設置,以定位所述前承載塊。
7.如權利要求3所述的射頻引入裝置,其特征在于,所述后射頻機構還包括有后引入件及后引入部,所述后引入件設置于兩個所述后承載塊之間,且所述后引入件與兩個所述后承載塊電連接,所述后引入部與所述后引入件電連接。
8.如權利要求2所述的射頻引入裝置,其特征在于,所述支撐機構還包括有多個支撐塊及多個壓板,多個所述支撐塊分別套設于所述支撐桿的第一端及所述支撐桿的第二端的端部上,且所述支撐塊通過所述壓板設置于所述法蘭上。
9.如權利要求2所述的射頻引入裝置,其特征在于,所述支撐桿內設置有用于提高所述支撐桿的強韌度的防護桿。
10.一種半導體加工設備,其特征在于,包括半導體工藝爐及如權利要求1至9任一項所述的射頻引入裝置。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





