[發(fā)明專利]一種薄膜臺階的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201911375340.1
• 申請日: 2019-12-27
• 公開（公告）號: CN111020511A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王孝東;陳波
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/58;C23C14/06;C23C14/16
• 代理公司: 深圳市科進(jìn)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44316
• 代理人: 曹衛(wèi)良

本發(fā)明涉及一種薄膜臺階的制備方法，屬于光學(xué)薄膜領(lǐng)域，包括:在基底上劃出具有一定厚度的痕跡；在所述基底上沉積一層薄膜得到鍍有薄膜的基底，所述薄膜的厚度小于痕跡的厚度；去除基底上的痕跡，得到有臺階的薄膜。該方法克服了傳統(tǒng)銀膜臺階制作方法固有的臺階界面不清晰、有褶皺等缺陷。采用本發(fā)明的制作方法，能夠得到界限清晰的薄膜臺階，為后續(xù)薄膜臺階的測量提供了便利。與傳統(tǒng)臺階制作方法相比，該方法工藝簡單，容易控制。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光學(xué)薄膜領(lǐng)域，具體而言，涉及一種薄膜臺階的制備方法。

背景技術(shù)

在光學(xué)薄膜領(lǐng)域，薄膜厚度是最重要的測量參數(shù)之一。確定了薄膜厚度，就可以對薄膜沉積速率進(jìn)行定標(biāo)，就可以根據(jù)光譜曲線對光學(xué)常數(shù)進(jìn)行精確的反演。薄膜厚度的表征方法主要有光譜法和臺階法。臺階法是一種直觀的測量方法，就是在光學(xué)基底上制作一個臺階，用光學(xué)輪廓儀(非接觸式)或者探針輪廓儀(接觸式)測量該臺階，進(jìn)而確定臺階即薄膜的厚度。使用臺階法測量膜厚，臺階的制作是一個關(guān)鍵步驟，臺階制作的優(yōu)劣直接決定了薄膜厚度測量的準(zhǔn)確性。現(xiàn)在普遍采用的方法是：先在基底上沉積一層銀膜，用雙面膠將部分銀膜去掉；然后在整個基片上鍍膜；最后將有銀膜部分的薄膜用雙面膠去掉。這樣就留下了只有薄膜的臺階。

這種銀膜臺階制作方法利用了銀膜牢固性差的特點。用這種方法制作臺階時，常常出現(xiàn)銀膜去除不凈，界面有褶皺，有凸起，制作的臺階質(zhì)量通常較差，給后續(xù)的測量帶來很大的誤差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供可以獲得臺階界面清晰、表面平整的一種薄膜臺階的制備方法。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是：

一種薄膜臺階的制備方法，包括:

在基底上劃出具有一定厚度的痕跡；

在所述基底上沉積一層薄膜得到鍍有薄膜的基底，所述薄膜的厚度小于痕跡的厚度；

去除基底上的痕跡，得到有臺階的薄膜。

在其中一個實施例中，在基底上劃出具有一定厚度的痕跡之前還包括：將基底置于高純水和酒精中分別超聲，再吹干。

在其中一個實施例中，超聲的頻率為40kHz-270kHz，超聲時間為10分鐘-20分鐘，采用氮氣吹干。

在其中一個實施例中，所述基底為熔石英基底或硅片基底，采用記號筆劃出具有一定厚度的痕跡。

在其中一個實施例中，所述去除基底上的痕跡為：將基底用酒精或丙酮或石油醚溶液超聲清洗，待記號筆劃出的痕跡消失后，將基底取出。

在其中一個實施例中，所述薄膜為SiC或Si或B₄C或BN薄膜。

在其中一個實施例中，采用磁控濺射在所述基底上沉積一層薄膜。

在其中一個實施例中，所述痕跡的寬度為：5-25mm，所述痕跡的厚度為：10-100nm。

本發(fā)明的有益效果是：相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明在沉積薄膜前在基底上劃出痕跡，該痕跡在后續(xù)的過程中可以去除，且由于痕跡具有一定的寬度和厚度，在去除的痕跡的過程中，直接形成了臺階，該方法克服了傳統(tǒng)銀膜臺階制作方法固有的臺階界面不清晰、有褶皺等缺陷。采用本發(fā)明的制作方法，能夠得到界限清晰的薄膜臺階，為后續(xù)薄膜臺階的測量提供了便利。與傳統(tǒng)臺階制作方法相比，該方法工藝簡單，容易控制。

附圖說明

圖1是一實施方式的薄膜臺階制作工藝示意圖；

圖2是實施例1制備的45nm SiC薄膜臺階；

圖3為圖2中的45nm SiC薄膜臺階的輪廓儀測試圖；

圖4為圖2中的45nm SiC薄膜臺階的輪廓儀測試結(jié)果圖。