[發明專利]一種薄膜臺階的制備方法在審
| 申請號： | 201911375340.1 | 申請日： | 2019-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN111020511A | 公開（公告）日： | 2020-04-17 |
| 發明（設計）人： | 王孝東;陳波 | 申請（專利權）人： | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/06;C23C14/16 |
| 代理公司： | 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹衛良 |
| 地址： | 130033 吉林省長春*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 薄膜 臺階 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種薄膜臺階的制備方法，其特征在于，包括:
在基底上劃出具有一定厚度的痕跡；
在所述基底上沉積一層薄膜得到鍍有薄膜的基底，所述薄膜的厚度小于痕跡的厚度；
去除基底上的痕跡，得到有臺階的薄膜。
2.根據權利要求1所述薄膜臺階的制備方法，其特征在于，在基底上劃出具有一定厚度的痕跡之前還包括：將基底置于高純水和酒精中分別超聲，再吹干。
3.根據權利要求2所述薄膜臺階的制備方法，其特征在于，超聲的頻率為40kHz-270kHz，超聲時間為10分鐘-20分鐘，采用氮氣吹干。
4.根據權利要求1所述薄膜臺階的制備方法，其特征在于，所述基底為熔石英基底或硅片基底，采用記號筆劃出具有一定厚度的痕跡。
5.根據權利要求4所述薄膜臺階的制備方法，其特征在于，所述去除基底上的痕跡為：將基底用酒精或丙酮或石油醚溶液超聲清洗，待記號筆劃出的痕跡消失后，將基底取出。
6.根據權利要求1所述薄膜臺階的制備方法，其特征在于，所述薄膜為SiC或Si或B4C或BN薄膜。
7.根據權利要求6所述薄膜臺階的制備方法，其特征在于，采用磁控濺射在所述基底上沉積一層薄膜。
8.根據權利要求1-7任意一項所述薄膜臺階的制備方法，其特征在于，所述痕跡的寬度為：5-25mm，所述痕跡的厚度為：10-100nm。
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