[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置和制造該半導(dǎo)體裝置的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911374777.3
• 申請(qǐng)日: 2019-12-27
• 公開（公告）號(hào): CN112071749A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 嚴(yán)炯禹;沈正明;楊永鎬;李洸旭;崔原俊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括以下步驟：

在基板上形成包括水平凹部的疊層結(jié)構(gòu)；

形成作為所述水平凹部的內(nèi)襯的阻擋層；

在所述阻擋層上形成包括介電阻隔元件和導(dǎo)電阻隔元件的界面控制層；以及

在所述界面控制層上形成導(dǎo)電層以填充所述水平凹部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述界面控制層的步驟包括以下步驟：

在所述阻擋層上形成介電阻隔層；以及

在所述介電阻隔層上形成導(dǎo)電阻隔層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述界面控制層的步驟包括以下步驟：

在所述阻擋層上形成包括多個(gè)具有不同氧含量的層的介電阻隔層；以及

在所述介電阻隔層上形成導(dǎo)電阻隔層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述界面控制層的步驟包括以下步驟：

在所述阻擋層上形成初始阻隔材料；

將所述初始阻隔材料暴露于氧化工藝中以形成第一導(dǎo)電阻隔層和在所述第一導(dǎo)電阻隔層上的介電阻隔層；以及

在所述介電阻隔層上形成第二導(dǎo)電阻隔層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述氧化工藝氧化所述初始阻隔材料的表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述氧化工藝非原位執(zhí)行或原位執(zhí)行。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，在形成所述初始阻隔材料的腔室中原位執(zhí)行所述氧化工藝。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，通過將基板從形成所述初始阻隔材料的環(huán)境轉(zhuǎn)移到氧化工藝腔室來執(zhí)行所述氧化工藝。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，通過將形成有所述初始阻隔材料的基板暴露于大氣而非原位地執(zhí)行所述氧化工藝。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述界面控制層的步驟包括以下步驟：

在所述阻擋層上形成第一導(dǎo)電阻隔層；

在使氧氣在所述第一導(dǎo)電阻隔層上流動(dòng)的同時(shí)形成介電阻隔層；以及

在所述介電阻隔層上形成第二導(dǎo)電阻隔層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述界面控制層的步驟包括以下步驟：

在所述阻擋層上形成第一導(dǎo)電阻隔層；以及

重復(fù)地通過在所述第一導(dǎo)電阻隔層上沉積基礎(chǔ)材料并且氧化所述基礎(chǔ)材料而形成介電阻隔層，以形成多個(gè)經(jīng)氧化的基礎(chǔ)材料層；以及

在所述介電阻隔層上形成第二阻隔層。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)電阻隔元件包括金屬氮化物，并且所述介電阻隔元件包括所述金屬氮化物的氧化物。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)電阻隔元件包括氮化鈦，并且所述介電阻隔元件包括氮氧化鈦。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述界面控制層包括氮氧化鈦和氮化鈦的疊層。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述界面控制層包括其中氮氧化鈦插入在兩個(gè)氮化鈦層之間的疊層。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)電層包括使用六氟化鎢氣體沉積的鎢。