[發(fā)明專利]一種NOR Flash柵極多晶硅工藝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911373896.7
• 申請(qǐng)日: 2019-12-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111129021B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊偉;陳華倫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11517
• 分類號(hào): H01L27/11517;H01L29/423
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本發(fā)明提供一種NOR Flash柵極多晶硅工藝方法，提供同一工藝中的Flash存儲(chǔ)區(qū)及外圍邏輯區(qū)；在flash存儲(chǔ)區(qū)中的柵極多晶硅以及外圍邏輯區(qū)的邏輯區(qū)多晶硅上形成多晶硅硬掩膜；刻蝕去除flash存儲(chǔ)區(qū)中柵極多晶硅上的多晶硅硬掩膜，保留外圍邏輯區(qū)中邏輯區(qū)多晶硅上的多晶硅硬掩膜；刻蝕去除flash存儲(chǔ)區(qū)中的柵極多晶硅；刻蝕去除flash存儲(chǔ)區(qū)中的柵極氧化層和氮化硅層；刻蝕去除flash存儲(chǔ)區(qū)中的字線端頭處多晶硅,以及定義外圍邏輯區(qū)中的邏輯區(qū)多晶硅。本發(fā)明不增加光罩，使用已有的存儲(chǔ)單元光罩對(duì)flash區(qū)預(yù)先處理后，使邏輯區(qū)域與flash區(qū)域氧化層厚度接近，在進(jìn)行多晶硅刻蝕時(shí)可兼顧邏輯區(qū)及Flash存儲(chǔ)區(qū)一并刻蝕，避免因不同工藝邏輯柵極多晶硅厚度差別需要增加光罩對(duì)Flash存儲(chǔ)區(qū)特殊處理。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種NOR Flash柵極多晶硅工藝方法。

背景技術(shù)

在NOR Flash減版工藝中，邏輯區(qū)多晶硅刻蝕(Logic Poly Etch)增加氧化刻蝕次數(shù)(oxide etch amount)以兼顧去除Flash區(qū)較厚的氧化層(oxide)及字線多晶硅(WLpoly)疊層結(jié)構(gòu)，以避免CG/WL短路或漏電等問(wèn)題。

先進(jìn)工藝中隨著設(shè)計(jì)規(guī)則(design rule)縮小,對(duì)柵極多晶硅CD精度及形貌要求更高，65nm以下工藝節(jié)點(diǎn)邏輯區(qū)多晶硅(Logic Poly)厚度越來(lái)越薄達(dá)到1000A以下，邏輯區(qū)多晶硅刻蝕(Logic Poly etch)工藝不能兼顧Flash區(qū)域的過(guò)量氧化刻蝕的要求。

因此，需要提出一種新的方法來(lái)解決上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種NOR Flash柵極多晶硅工藝方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中邏輯區(qū)多晶硅刻蝕工藝不能兼顧Flash區(qū)域的過(guò)量氧化刻蝕的要求的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種NOR Flash柵極多晶硅工藝方法，該方法至少包括以下步驟：

步驟一、提供同一工藝中的flash存儲(chǔ)區(qū)以及外圍邏輯區(qū)；其中所述flash存儲(chǔ)區(qū)中至少包括：字線多晶硅、位于所述字線多晶硅上的多晶硅氧化層；位于所述多晶硅氧化層上的氮化硅層；位于所述氮化硅層上的柵極氧化層；位于所述柵極氧化層上的柵極多晶硅；所述外圍邏輯區(qū)至少包括：邏輯區(qū)多晶硅；

步驟二、在所述flash存儲(chǔ)區(qū)中的所述柵極多晶硅以及所述外圍邏輯區(qū)的邏輯區(qū)多晶硅上形成多晶硅硬掩膜；

步驟三、刻蝕去除所述flash存儲(chǔ)區(qū)中所述柵極多晶硅上的多晶硅硬掩膜，保留所述外圍邏輯區(qū)中所述邏輯區(qū)多晶硅上的所述多晶硅硬掩膜；

步驟四、刻蝕去除所述flash存儲(chǔ)區(qū)中的所述柵極多晶硅；

步驟五、刻蝕去除所述flash存儲(chǔ)區(qū)中的所述柵極氧化層和氮化硅層；

步驟六、刻蝕去除所述flash存儲(chǔ)區(qū)中的所述字線多晶硅以及所述外圍邏輯區(qū)中的所述邏輯區(qū)多晶硅。

優(yōu)選地，步驟一中與所述flash存儲(chǔ)區(qū)以及外圍邏輯區(qū)處于同一工藝中的還包括flash單元，所述flash單元至少包括：字線多晶硅、位于所述字線多晶硅上的多晶硅氧化層；位于所述多晶硅氧化層上的氮化硅層；位于所述氮化硅層上的柵極氧化層；位于所述柵極氧化層上的柵極多晶硅。

優(yōu)選地，步驟二中在所述flash存儲(chǔ)區(qū)中的所述柵極多晶硅以及所述外圍邏輯區(qū)的邏輯區(qū)多晶硅上形成多晶硅硬掩膜的同時(shí)在所述flash單元中的所述柵極多晶硅上形成所述多晶硅硬掩膜。

優(yōu)選地，步驟三在去除所述flash存儲(chǔ)區(qū)中所述柵極多晶硅上的所述多晶硅硬掩膜的同時(shí)，去除所述flash單元中所述柵極多晶硅上的所述多晶硅硬掩膜。