[發明專利]一種NOR Flash柵極多晶硅工藝方法

有效

• 申請號: 201911373896.7
• 申請日: 2019-12-27
• 公開（公告）號: CN111129021B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 熊偉;陳華倫
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L29/423
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種NOR Flash柵極多晶硅工藝方法，其特征在于，該方法至少包括以下步驟：

步驟一、提供同一工藝中的flash存儲區以及外圍邏輯區；其中所述flash存儲區中至少包括：字線多晶硅、位于所述字線多晶硅上的多晶硅氧化層；位于所述多晶硅氧化層上的氮化硅層；位于所述氮化硅層上的柵極氧化層；位于所述柵極氧化層上的柵極多晶硅；所述外圍邏輯區至少包括：邏輯區多晶硅；

步驟二、在所述flash存儲區中的所述柵極多晶硅以及所述外圍邏輯區的邏輯區多晶硅上形成多晶硅硬掩膜；

步驟三、刻蝕去除所述flash存儲區中所述柵極多晶硅上的多晶硅硬掩膜，保留所述外圍邏輯區中所述邏輯區多晶硅上的所述多晶硅硬掩膜；

步驟四、刻蝕去除所述flash存儲區中的所述柵極多晶硅；

步驟五、刻蝕去除所述flash存儲區中的所述柵極氧化層和氮化硅層；

步驟六、所述flash存儲區上的所述多晶硅氧化層的厚度與所述外圍邏輯區的所述多晶硅硬掩膜厚度接近，將二者合并刻蝕；刻蝕去除所述flash存儲區中的所述字線多晶硅以及所述外圍邏輯區中的所述邏輯區多晶硅。

2.根據權利要求1所述的NOR Flash柵極多晶硅工藝方法，其特征在于：步驟一中與所述flash存儲區以及外圍邏輯區處于同一工藝中的還包括flash單元，所述flash單元至少包括：字線多晶硅、位于所述字線多晶硅上的多晶硅氧化層；位于所述多晶硅氧化層上的氮化硅層；位于所述氮化硅層上的柵極氧化層；位于所述柵極氧化層上的柵極多晶硅。

3.根據權利要求2所述的NOR Flash柵極多晶硅工藝方法，其特征在于：步驟二中在所述flash存儲區中的所述柵極多晶硅以及所述外圍邏輯區的邏輯區多晶硅上形成多晶硅硬掩膜的同時在所述flash單元中的所述柵極多晶硅上形成所述多晶硅硬掩膜。

4.根據權利要求3所述的NOR Flash柵極多晶硅工藝方法，其特征在于：步驟三在去除所述flash存儲區中所述柵極多晶硅上的所述多晶硅硬掩膜的同時，去除所述flash單元中所述柵極多晶硅上的所述多晶硅硬掩膜。

5.根據權利要求4所述的NOR Flash柵極多晶硅工藝方法，其特征在于：步驟四中刻蝕去除所述flash存儲區中的所述柵極多晶硅的同時并刻蝕去除所述flash單元中的所述柵極多晶硅。

6.根據權利要求5所述的NOR Flash柵極多晶硅工藝方法，其特征在于：步驟五中刻蝕去除所述flash存儲區中的所述柵極氧化層和氮化硅層的同時并刻蝕去除所述flash單元中的所述柵極氧化層和氮化硅層。

7.根據權利要求6所述的NOR Flash柵極多晶硅工藝方法，其特征在于：所述flash存儲區還包括位于所述字線多晶硅側壁和底部的氧化層、位于該氧化層外側壁的側墻、位于該側墻外側的浮柵，位于該浮柵外側的浮柵氮化硅。

8.根據權利要求7所述的NOR Flash柵極多晶硅工藝方法，其特征在于：所述flash單元還包括位于所述字線多晶硅側壁和底部的氧化層、位于該氧化層外側壁的側墻、位于該側墻外側的浮柵，位于該浮柵外側的浮柵氮化硅。

9.根據權利要求8所述的NOR Flash柵極多晶硅工藝方法，其特征在于：步驟五中刻蝕去除所述flash存儲區中的所述氮化硅層的同時，所述flash存儲區中的浮柵氮化硅以及所述flash單元中的所述浮柵氮化硅被刻蝕去除。

10.根據權利要求9所述的NOR Flash柵極多晶硅工藝方法，其特征在于：所述flash單元中的所述浮柵氮化硅的厚度為2000～3000埃。

11.根據權利要求1所述的NOR Flash柵極多晶硅工藝方法，其特征在于：所述flash單元中的所述氮化硅層的厚度為1000～2000埃。

12.根據權利要求1所述的NOR Flash柵極多晶硅工藝方法，其特征在于：步驟五中利用濕法刻蝕的方法去除所述flash存儲區中的所述柵極氧化層和氮化硅層。