[發明專利]半導體器件的制造系統和使用其制造半導體器件的方法

在審

• 申請號: 201911364910.7
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN111880375A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 裵根熙;樸珍洪;許晉碩;李昇玟;林宣澤
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉美華;韓芳

公開了半導體器件的制造系統和使用其制造半導體器件的方法。所述系統可以包括：腔室；極紫外光(EUV)源，位于腔室中，并且被構造為產生EUV束；光學系統，位于EUV源上，并且被構造為將EUV束提供到基底；基底臺，位于腔室中，并且被構造為容納基底；標線臺，位于腔室中，被構造為保持標線，標線被構造為使EUV束投射到基底上；以及顆粒收集器，位于標線與光學系統之間，并且被構造為允許EUV束的選擇性透射并去除顆粒。

本申請要求于2019年5月2日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0051676號韓國專利申請的優先權，所述韓國專利申請的內容在此通過引用全部包含于此。

技術領域

本公開涉及一種半導體器件的制造系統以及一種使用該制造系統制造半導體器件的方法，具體地，涉及一種EUV曝光系統以及一種使用該曝光系統制造半導體器件的方法。

背景技術

隨著信息技術的發展，已經積極地進行了高度集成的半導體器件的研究和開發。半導體器件的集成密度強烈依賴于光刻工藝中使用的光源的波長。可以使用諸如I線、G線、KrF準分子和ArF準分子的激光束或者波長比準分子激光短的極紫外光(EUV)束作為光源。EUV束具有遠高于準分子激光的能量。因此，EUV束的使用會導致標線(reticle)上的顆粒污染問題。為了防止光刻工藝中發生故障，應該用另一標線替換污染的標線。

發明內容

發明構思的實施例提供了一種半導體制造系統，以及一種使用該系統制造半導體器件的方法，該半導體制造系統被構造為抑制或防止顆粒污染問題。

根據發明構思的實施例，用于制造半導體器件的系統可以包括：腔室；極紫外光(EUV)源，位于腔室中，并且被構造為產生EUV束；光學系統，位于EUV源上，并且被構造為將EUV束提供到基底；基底臺，位于腔室中，并且被構造為容納基底；標線臺，位于腔室中，被構造為保持標線，標線被構造為使EUV束投射到基底上；以及顆粒收集器，位于標線與光學系統之間，并且被構造為允許EUV束的選擇性透射并去除顆粒。

根據發明構思的實施例，用于制造半導體器件的系統可以包括：腔室；EUV源，位于腔室中，并且被構造為產生EUV束；光學系統，位于EUV源上，并且被構造為將EUV束提供到基底；基底臺，位于腔室中，并且被構造為容納基底；標線臺，位于腔室中，被構造為保持標線，標線被構造為使EUV束投射到基底上；標線卡盤，位于標線臺上，并且被構造為使用靜電電壓來保持標線；以及遮蔽葉片，位于標線與光學系統之間。遮蔽葉片可以被構造為被充電有與靜電電壓不同的偏置電壓。

根據發明構思的實施例，制造半導體器件的方法可以包括：將靜電電壓施加到曝光系統的標線卡盤；產生包括具有第一脈沖的強度的EUV束；將EUV束提供到標線；同步于第一脈沖而阻擋顆粒；將偏置電壓施加到曝光系統的遮蔽葉片以對遮蔽葉片充電；以及將EUV束提供到基底。

附圖說明

通過下面結合附圖進行的簡要描述，將更清楚地理解示例實施例。附圖表示如這里描述的非限制性的示例實施例。

圖1是示例性地示出根據發明構思的實施例的用于制造半導體器件的系統的示例的圖。

圖2是示出圖1的EUV束的強度的第一脈沖的曲線圖。

圖3是示出圖1的部分A的放大的視圖。

圖4是示出圖3的顆粒收集器的示例的平面圖。

圖5是示出與圖4的阻擋區域和透射區域的旋轉周期對應的第二脈沖的曲線圖。

圖6是示出圖1的顆粒收集器的另一示例的圖。

圖7是示出根據示例實施例的圖6的遮蔽葉片、偏置電極和地電極的平面圖。

圖8是示出圖6的第一偏置電壓的第三脈沖的曲線圖。