[發明專利]半導體器件的制造系統和使用其制造半導體器件的方法

在審

• 申請號: 201911364910.7
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN111880375A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 裵根熙;樸珍洪;許晉碩;李昇玟;林宣澤
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉美華;韓芳

1.一種用于制造半導體器件的系統，所述系統包括：

腔室；

極紫外光源，位于腔室中，并且被構造為產生極紫外光束；

光學系統，位于極紫外光源上，并且被構造為將極紫外光束提供到基底；

基底臺，位于腔室中，并且被構造為容納基底；

標線臺，位于腔室中，被構造為保持標線，標線被構造為使極紫外光束投射到基底上；以及

顆粒收集器，位于標線與光學系統之間，并且被構造為允許極紫外光束的選擇性透射并從標線或從與標線相鄰的區域去除顆粒。

2.根據權利要求1所述的系統，其中，顆粒收集器包括旋轉盤斬波器。

3.根據權利要求2所述的系統，其中，顆粒收集器包括對于極紫外光束的透射區域和阻擋區域。

4.根據權利要求3所述的系統，其中，極紫外光束的強度具有第一脈沖，并且

透射區域被構造為被旋轉以具有第二脈沖，第二脈沖具有與第一脈沖的第一周期相同的第二周期。

5.根據權利要求1所述的系統，所述系統還包括位于標線與光學系統之間的遮蔽葉片，

其中，顆粒收集器位于遮蔽葉片與光學系統之間。

6.根據權利要求5所述的系統，其中，光學系統包括：

面鏡，位于極紫外光源與標線之間，并且被構造為反射極紫外光束；以及

掠射鏡，位于面鏡與標線之間，并且被構造為將極紫外光束反射朝向標線，

其中，顆粒收集器位于遮蔽葉片與掠射鏡之間。

7.根據權利要求5所述的系統，其中，顆粒收集器連接或緊固到遮蔽葉片的底表面。

8.根據權利要求5所述的系統，其中，顆粒收集器包括：

地電極；以及

偏置電極，與地電極間隔開，并且被構造為利用偏置電壓在遮蔽葉片之間感生電場。

9.根據權利要求8所述的系統，其中，極紫外光束的強度具有第一脈沖，并且

偏置電壓具有第三脈沖，第三脈沖具有與第一脈沖的第一周期相同的第三周期，并具有與第一脈沖的第一相位相反的第三相位。

10.根據權利要求8所述的系統，其中，遮蔽葉片包括：第一遮蔽葉片和第二遮蔽葉片，在第一方向上彼此面對并間隔開；以及第三遮蔽葉片和第四遮蔽葉片，在與第一方向垂直的第二方向上彼此面對并間隔開，

地電極包括位于第二遮蔽葉片上的第一地電極以及位于第四遮蔽葉片上的第二地電極，并且

偏置電極包括位于第一遮蔽葉片上的第一偏置電極以及位于第三遮蔽葉片上的第二偏置電極。

11.根據權利要求5所述的系統，其中，遮蔽葉片被構造為被電力地充電有偏置電壓。

12.根據權利要求5所述的系統，所述系統還包括：流體噴嘴，位于遮蔽葉片與標線臺之間，并且被構造為將流體提供到標線與遮蔽葉片之間的區域中，

其中，流體噴嘴被構造為被電力地充電有偏置電壓。

13.一種用于制造半導體器件的系統，所述系統包括：

腔室；

極紫外光源，位于腔室中，并且被構造為產生極紫外光束；

光學系統，位于極紫外光源上，并且被構造為將極紫外光束提供到基底；

基底臺，位于腔室中，并且被構造為容納基底；

標線臺，位于腔室中，被構造為保持標線，標線被構造為使極紫外光束投射到基底上；

標線卡盤，位于標線臺上，并且被構造為使用靜電電壓來保持標線；以及

遮蔽葉片，位于標線與光學系統之間，

其中，遮蔽葉片被構造為被充電有與靜電電壓不同的偏置電壓。