[發明專利]源漏電阻測試方法

在審

• 申請號: 201911364229.2
• 申請日: 2019-12-25
• 公開（公告）號: CN111092025A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 陳金明
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G06T11/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種源漏電阻測試方法，其特征在于，所述源漏電阻測試方法包括：

形成第一測試結構，所述第一測試結構包括位于一襯底中依次連接的第一源區、第一溝道區和第一漏區，所述第一源區和所述第一漏區之間形成有第一源漏電阻，所述溝道區形成有第一溝道電阻；

形成第二測試結構，所述第二測試結構包括位于所述襯底中依次連接的第二源區、第二溝道區和第二漏區，所述第二源區和所述第二漏區之間形成有與所述第一源漏電阻的阻值相同的第二源漏電阻，所述第二溝道區形成有第二溝道電阻，所述第二源區和所述第一源區的結構相同，所述第二漏區和所述第一漏區的結構相同，所述第二溝道區的長度大于所述第一溝道區的長度；

得到所述第一源漏電阻和所述第一溝道電阻的和值，以得到第一電阻，以及得到所述第二源漏電阻和所述第二溝道電阻的和值，以得到第二電阻，所述第一電阻和所述第二電阻通過相同的方法得到；

獲取所述第一溝道區和所述第二溝道區的長度，以得到第一溝道長度和第二溝道長度；

形成擬合曲線，所述擬合曲線包括與第一坐標軸對應的所述第一電阻和所述第二電阻，以及與第二坐標軸對應的所述第一溝道長度和所述第二溝道長度，并且所述擬合曲線與所述第一坐標軸形成有截距；以及，

計算出所述擬合曲線與所述第一坐標軸的截距，以得到所述第一源漏電阻或者所述第二源漏電阻。

2.如權利要求1所述的源漏電阻測試方法，其特征在于，所述第一源區、所述第一溝道區、所述第一漏區、所述第二源區、所述第二溝道區和所述第二漏區均具有相同類型的摻雜離子。

3.如權利要求1所述的源漏電阻測試方法，其特征在于，所述第一源漏電阻和所述第一溝道電阻為串聯，所述第二源漏電阻和所述第二溝道電阻為串聯。

4.如權利要求1所述的源漏電阻測試方法，其特征在于，所述第一測試結構包括第一柵極結構，所述第一柵極結構位于所述襯底上且覆蓋所述第一溝道區，所述第一源區和所述第一漏區分別位于所述第一柵極結構兩側的所述襯底中。

5.如權利要求1所述的源漏電阻測試方法，其特征在于，所述第二測試結構包括第二柵極結構，所述第二柵極結構位于所述襯底上且覆蓋所述第二溝道區，所述第二源區和所述第二漏區分別位于所述第二柵極結構兩側的所述襯底中。

6.如權利要求1所述的源漏電阻測試方法，其特征在于，所述第一測試結構還包括位于所述襯底上的第一接觸孔結構和第二接觸孔結構，所述第一接觸孔結構和所述第一源區連接，所述第二接觸孔結構和所述第一漏區連接；所述第二測試結構還包括位于所述襯底上的第三接觸孔結構和第四接觸孔結構，所述第三接觸孔結構和所述第二源區連接，所述第四接觸孔結構和所述第二漏區連接，并且所述第一接觸孔結構、所述第二接觸孔結構、所述第三接觸孔結構和所述第四接觸孔結構均相同。

7.如權利要求6所述的源漏電阻測試方法，其特征在于，得到所述第一電阻的方法包括：通過測試設備連接所述第一接觸孔結構和所述第二接觸孔結構，輸出所述第一源漏電阻和所述第一溝道電阻的和值，以得到所述第一電阻。

8.如權利要求7所述的源漏電阻測試方法，其特征在于，得到所述第二電阻的方法包括：通過所述測試設備連接所述第三接觸孔結構和所述第四接觸孔結構，輸出所述第二源漏電阻和所述第二溝道電阻的和值，以得到所述第二電阻。

9.如權利要求1所述的源漏電阻測試方法，其特征在于，所述擬合曲線通過所述第一電阻、所述第二電阻、所述第一溝道長度和所述第二溝道長度的線性擬合得到。

10.如權利要求1所述的源漏電阻測試方法，其特征在于，計算出所述擬合曲線與所述第一坐標軸的截距,以得到所述第一源漏電阻或者所述第二源漏電阻的方法包括：

得到所述擬合曲線的一線性表達式；

根據所述線性表達式得到所述第一源漏電阻或者所述第二源漏電阻；其中，所述線性表達式為：R＝R₁-(R₂-R₁)/(L₂-L₁)*L₁，R表示為第一源漏電阻或者第二源漏電阻，R₁表示為第一電阻，R₂表示為第二電阻，L₁表示為第一溝道長度，L₂表示為第二溝道長度。