[發明專利]一種TVS芯片新型擴散工藝

在審

• 申請號: 201911364166.0
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN111128698A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 汪良恩;李建利;汪曦凌
• 申請（專利權）人: 安徽芯旭半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/228
• 分類號: H01L21/228
• 代理公司: 上海華誠知識產權代理有限公司 31300
• 代理人: 陳國俊

本發明公開了一種TVS芯片新型擴散工藝，屬于芯片擴散技術領域。包括以下步驟：硅片清洗后進行氧化，使其表面增加氧化膜；采用光刻的方式將需要擴散的區域氧化膜去除；在去掉氧化膜區域附上擴散源，擴散形成第一個PN結；去除擴散后硅片前期未擴散區域表面的氧化膜；在前期未擴散區域表面附上擴散源，進行二次擴散形成第二個PN結；本發明通過二次擴散，形成內外兩個PN結，其外層PN結形成了保護結構，內層的PN結實現電路瞬態抑制，提高了芯片的可靠性。

技術領域

本發明屬于芯片擴散技術領域，具體涉及一種TVS芯片新型擴散工藝。

背景技術

目前的半導體功率器件TVS芯片采用的是傳統的磷硼擴散工藝，當電阻率過低時，漏電流會過大，當增加電阻率時，VC能力又會不足。

發明內容

針對現有技術中缺陷與不足的問題，本發明提出了一種TVS芯片新型擴散工藝，通過二次擴散，形成內外兩個PN結，其外層PN結形成了保護結構，內層的PN結實現電路瞬態抑制，提高了芯片的可靠性。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案為：

一種TVS芯片新型擴散工藝, 包括如下步驟：

a.硅片清洗后進行氧化，使其表面增加氧化膜；

b.采用光刻的方式將需要擴散的區域氧化膜去除；

c.在去掉氧化膜區域附上擴散源，擴散形成第一個PN結；

d.去除擴散后硅片前期未擴散區域表面的氧化膜；

e.在前期未擴散區域表面附上擴散源，進行二次擴散形成第二個PN結。

進一步的，所述氧化膜為二氧化硅膜。

進一步的，所述擴散源為硼液態源。

本發明具有如下有益效果：通過二次擴散，形成內外兩個PN結，其外層PN結形成了保護結構，內層的PN結實現電路瞬態抑制，提高了芯片的可靠性。本發明采用新的擴散方式，即能增加電阻分布，降低漏電流分布，又可以將自身增加鈍化保護，提升VC能力。

附圖說明

圖1為本發明工藝流程示意圖。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明的具體實施方式進行詳細說明。

實施例一：

一種TVS芯片新型擴散工藝, 包括如下步驟：

a.硅片清洗后進行氧化，使其表面增加氧化膜；

b.采用光刻的方式將需要擴散的區域氧化膜去除；

c.在去掉氧化膜區域附上擴散源，擴散形成第一個PN結；

d.去除擴散后硅片前期未擴散區域表面的氧化膜；

e.在前期未擴散區域表面附上擴散源，進行二次擴散形成第二個PN結。

進一步的，所述氧化膜為二氧化硅膜。

進一步的，所述擴散源為硼液態源。

本發明通過二次擴散，形成內外兩個PN結，其外層PN結形成了保護結構，內層的PN結實現電路瞬態抑制，提高了芯片的可靠性。

以上顯示和描述了本發明的基本原理、主要特征和本發明的優點。本發明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發明的原理，在不脫離本發明精神和范圍的前提下本發明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發明的范圍內。本發明要求保護范圍由所附的權利要求書及其等同物界定。