[發明專利]一種TVS芯片新型擴散工藝在審
| 申請號： | 201911364166.0 | 申請日： | 2019-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN111128698A | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發明（設計）人： | 汪良恩;李建利;汪曦凌 | 申請（專利權）人： | 安徽芯旭半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/228 | 分類號： | H01L21/228 |
| 代理公司： | 上海華誠知識產權代理有限公司 31300 | 代理人： | 陳國俊 |
| 地址： | 247100 安徽省*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 tvs 芯片 新型 擴散 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種TVS芯片新型擴散工藝，其特征在于包括如下步驟：
a.硅片清洗后進行氧化，使其表面增加氧化膜；
b.采用光刻的方式將需要擴散的區域氧化膜去除；
c.在去掉氧化膜區域附上擴散源，擴散形成第一個PN結；
d.去除擴散后硅片前期未擴散區域表面的氧化膜；
e.在前期未擴散區域表面附上擴散源，進行二次擴散形成第二個PN結。
2.如權利要求1所述的一種TVS芯片新型擴散工藝，其特征在于：所述氧化膜為二氧化硅膜。
3.如權利要求1所述的一種TVS芯片新型擴散工藝，其特征在于：所述擴散源為硼液態源。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
