[發(fā)明專利]晶圓的測試方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201911363074.0
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN111128779A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳苑
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本發(fā)明公開了一種晶圓測試方法，其測試程序包含主測試流程及子測試流程：所述主測試流程，包含測試項目1～N等若干個一級分Bin測試項目，依據(jù)一級分bin測試項目對晶圓進行依次測試；所述子測試流程，包含若干個個性測試項目，為一級分Bin測試項目下的失效診斷測試項目；所述主測試流程對晶圓進行快速篩選；根據(jù)主測試流程的測試項目結(jié)果選擇進入該級的子測試流程，子測試流程在測試完成后輸出二級分Bin標(biāo)號。本發(fā)明在一級的主測試流程后增加二級的子測試流程，對一級測試程序后的芯片可進行進一步的個性化測試，獲取更多的芯片測試數(shù)據(jù)，能獲取更多的失效信息，同時可最大化的增加測試項目對晶圓進行更徹底的測試。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造及測試領(lǐng)域，特別是指一種晶圓的測試方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體器件制造工藝中，測試是保證器件出廠品質(zhì)的重要環(huán)節(jié)，通過測試，能將制造過程中產(chǎn)生的一些殘次品，或者性能不合格產(chǎn)品挑選出來，或者是通過測試，獲知器件的性能參數(shù)，能對產(chǎn)品進行等級的區(qū)分。

探針測試（CP）是硅片測試中一個非常重要的測試項目，探針測試使用探針卡與晶圓上的壓焊點（PAD）接觸以傳輸電信號。探針卡是測試儀器與待測器件（DUT）之間的接口，典型的探針卡是一種帶有很多細(xì)針的的印刷電路板，這些細(xì)針和待測器件之間進行物理和電學(xué)接觸，探針傳遞進出晶圓測試結(jié)構(gòu)壓焊點的電壓電流。即探針測試機臺是通過探針卡上探針與晶圓上的測試接觸壓焊點接觸，測試機臺發(fā)送測試電信號通過探針及與探針接觸的壓焊點輸入到晶圓上的晶粒并獲得測試數(shù)據(jù)。

在半導(dǎo)體芯片測試行業(yè)，在進行晶圓級產(chǎn)品或IP的測試時,往往需要進行多個條件多個項目下的測試或者驗證。

CP測試按照預(yù)定的測試項目順序依次進行，如圖1所示，測試根據(jù)預(yù)先設(shè)定的測試項目依次向下測試，測試項目包含項目1～項目N，依次向下進行測試。若晶圓通過了測試項目1，則繼續(xù)向下進行項目2的測試，若測試項目1失敗，則被判定為失效組fail bin結(jié)束測試，即如進行到某個項目測試失敗，則對應(yīng)晶粒（die）標(biāo)志為相應(yīng)的芯片分組（Bin）編號，停止后續(xù)測試，依次類推……。

如果通過了所有測試項目，則標(biāo)志為Pass Bin編號。

上述測試方法的問題在于：

一、CP測試是通過有效的測試項目篩選出符合設(shè)計規(guī)格的芯片，分BIN定義測試合格（PASS）或測試失敗（Fail），具體的Fail Bin當(dāng)中有些是需要進一步追加離線測試分析，才能獲取更多的失效信息（失效模式）。

二、測試項目是固定數(shù)量，每個Die測試項目數(shù)≤總測試項目，無法實現(xiàn)增加個性化測試。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種晶圓的測試方法，能獲取更多的芯片測試結(jié)果。

為解決上述問題，本發(fā)明所述的一種晶圓的測試方法，使用測試探針機臺針對晶圓上的芯片進行測試，所述測試程序包含主測試流程及子測試流程：

所述主測試流程，包含測試項目1～N等若干個一級分Bin測試項目，依據(jù)一級分bin測試項目對晶圓進行依次測試。

所述子測試流程，包含若干個個性測試項目，為一級分Bin測試項目下的進一步細(xì)分測試項目。

所述主測試流程對晶圓進行快速篩選，在測試項目1測試通過的情況下即進行下一個測試項目即測試項目2的測試，依次類推。

根據(jù)主測試流程的測試項目結(jié)果選擇進入該級的子測試流程。

進一步地，所述的測試機臺是通過探針卡上探針與晶圓上的測試接觸壓焊點接觸，測試機臺發(fā)送測試電信號通過探針及與探針接觸的壓焊點輸入到晶圓上的晶粒并獲得測試數(shù)據(jù)。