[發明專利]晶圓的測試方法在審
| 申請號: | 201911363074.0 | 申請日: | 2019-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN111128779A | 公開(公告)日: | 2020-05-08 |
| 發明(設計)人: | 吳苑 | 申請(專利權)人: | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴廣志 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測試 方法 | ||
1.一種晶圓的測試方法,使用測試探針機臺針對晶圓上的芯片進行測試,其特征在于:測試程序包含主測試流程及子測試流程:
所述主測試流程,包含測試項目1~N等若干個一級分Bin測試項目,依據一級分bin測試項目對晶圓進行依次測試;
所述子測試流程,包含若干個個性測試項目,為一級分Bin測試項目下的進一步細分測試項目;
所述主測試流程對晶圓進行快速篩選,在測試項目1測試通過的情況下即進行下一個測試項目即測試項目2的測試,依次類推;
根據主測試流程的測試項目結果選擇進入該級的子測試流程。
2.如權利要求1所述的晶圓的測試方法,其特征在于:所述的測試機臺是通過探針卡上探針與晶圓上的測試接觸壓焊點接觸,測試機臺發送測試電信號通過探針及與探針接觸的壓焊點輸入到晶圓上的晶粒并獲得測試數據。
3.如權利要求1所述的晶圓的測試方法,其特征在于:所述主測試流程在得到一級分Bin測試結果后進入所述子測試流程再進行個性化測試項目的測試,即子測試流程由一級分Bin測試項目的測試結果觸發。
4.如權利要求1所述的晶圓的測試方法,其特征在于:所述子測試流程中的個性測試項目根據芯片的的一級分Bin測試結果來進一步確定,或者是根據工藝要求、芯片性能定位的綜合考慮來確定個性測試項目的測試內容。
5.如權利要求1所述的晶圓的測試方法,其特征在于:所述的子測試流程在測試完成后輸出二級分Bin標號。
6.如權利要求3所述的晶圓的測試方法,其特征在于:所述的子測試流程在主測試流程測試失效時進入子測試流程,進行個性測試項目的測試,輸出二級分Bin標號。
7.如權利要求3所述的晶圓的測試方法,其特征在于:所述的子測試流程還能選擇性設置在主測試流程測試結果合格時進入子測試流程,進行個性測試項目的測試,進行二級分Bin,以對合格品做進一步的分級管理。
8.如權利要求1所述的晶圓的測試方法,其特征在于:所述的子測試流程不僅限于二級測試,根據需要能增加三級或者四級以上的子測試流程,包含更多更細致的個性測試項目。
9.如權利要求1所述的晶圓的測試方法,其特征在于:所述的子測試流程,能選擇性地在主測試流程中的測試項目1~N中的任意一步、或者幾步、或者每一步測試項目后進入,即子測試流程與主測試流程不要求完全對應。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





