[發(fā)明專利]一種在高溫條件下工作的電離室有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911362906.7 | 申請日: | 2019-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN111103618B | 公開(公告)日: | 2021-09-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陸雙桐;李彪 | 申請(專利權(quán))人: | 中核控制系統(tǒng)工程有限公司 |
| 主分類號: | G01T3/00 | 分類號: | G01T3/00;G01T3/02;G21C17/00 |
| 代理公司: | 核工業(yè)專利中心 11007 | 代理人: | 張雅丁 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高溫 條件下 工作 電離室 | ||
本發(fā)明屬于電離室輻射探測技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種在高溫條件下工作的電離室。包括主體外殼、芯子組件、上絕緣陶瓷、保護(hù)環(huán)、減震彈簧、底座、頂蓋組件、連接筒、電纜連接盤基座組件、無機鎧裝電纜組件、電纜接插件、鎳絲。本發(fā)明采用的平板型電離室相對于圓柱形結(jié)構(gòu)的電離室其探測表面積增大,其中子探測靈敏度相應(yīng)提高,實測相同靈敏區(qū)長度的本產(chǎn)品與同軸圓柱形結(jié)構(gòu)產(chǎn)品僅涂硼的情況下的中子靈敏度提高約1倍,具有非常好的坪特性及測量上限。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于電離室輻射探測技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種在高溫條件下工作的電離室。
背景技術(shù)
在已知的核反應(yīng)堆的堆外探測器中,有的工作位置設(shè)計溫度為250度,且探測器尺寸受限,并且要求相對較高的中子靈敏度,中子電離室主要利用中子靈敏物質(zhì)的次級產(chǎn)物電離效應(yīng)來測量中子輻照強度。中子靈敏物質(zhì)的次級產(chǎn)物在工作氣體中產(chǎn)生電子離子對,在電場的作用下,正負(fù)離子分別向收集極和高壓極漂移,形成電離電流。由于電離電流與中子輻射的強度成正比,測量該電流即可得到電離輻射的強度。
現(xiàn)有的公開技術(shù)中,子電離室采用同軸圓柱形結(jié)構(gòu),電極材料以鋁為主,受限于探測器尺寸,現(xiàn)有的中子電離室結(jié)構(gòu)的靈敏度相對較低,以經(jīng)驗計算其中子靈敏度只能達(dá)到要求值的一半,而且鋁在高溫條件下機械性能發(fā)生明顯變化,無法在高溫條件下工作,同時其振動沖擊性能也無法滿足該項目要求,因此需要尋找一個結(jié)構(gòu)和材料來滿足該項目要求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種在高溫條件下工作的電離室,以,適應(yīng)高溫、高輻照的環(huán)境使用要求。
為了實現(xiàn)這一目的,本發(fā)明采取的技術(shù)方案是:
一種在高溫條件下工作的電離室,包括主體外殼、芯子組件、上絕緣陶瓷、保護(hù)環(huán)、減震彈簧、底座、頂蓋組件、連接筒、電纜連接盤基座組件、無機鎧裝電纜組件、電纜接插件、鎳絲;
電離室一共有兩個密閉腔體,一個是密閉的主體外殼,一個是密閉的連接筒;
工作氣體密封在主體外殼內(nèi),保護(hù)氣體密封在連接筒內(nèi),待探測的電流信號產(chǎn)生于主體外殼內(nèi)的芯子組件中;
芯子組件設(shè)置在主體外殼內(nèi);
上絕緣陶瓷設(shè)置在芯子組件前端;
減震彈簧設(shè)置在芯子組件下部;
頂蓋組件設(shè)置在主體外殼前端;
底座設(shè)置在主體外殼后端;
芯子組件為平板型結(jié)構(gòu),包括支撐桿、支撐桿螺母、電極片固定管、下支撐陶瓷;用支撐桿螺母將固定管、電極片、支撐桿擰緊固定;
芯子組件中,同一極性的電極片通過支撐桿、固定管進(jìn)行電連接;
兩個相對的支撐桿為同一極性;
支撐桿的上端和下端分別通過陶瓷與保護(hù)環(huán)、底座絕緣連接;
支撐桿的上端通過引出絲連接至頂蓋組件的引出管,用氬弧焊將支撐桿的引出絲與頂蓋組件的引出管焊死密封;
支撐桿的上端通過上絕緣陶瓷與保護(hù)環(huán)絕緣連接;
芯子組件通過下支撐陶瓷定位安裝于底座上;
下支撐陶瓷的下方設(shè)置減震彈簧;
頂蓋組件與電纜連接盤基座組件焊接密封;
電纜連接盤基座組件與無機鎧裝電纜組件的一端焊接密封;
無機鎧裝電纜組件的另一端安裝電纜接插件;
電離室內(nèi)部的信號線均采用鎳絲進(jìn)行連接。
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