[發明專利]晶圓的清洗方法

在審

• 申請號: 201911361279.5
• 申請日: 2019-12-26
• 公開（公告）號: CN113053722A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 彭忠華
• 申請（專利權）人: 東莞新科技術研究開發有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B08B3/08
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

本發明公開了一種晶圓的清洗方法，包括以下步驟：(1)將待清洗的晶圓用第一清洗液進行清洗，所述第一清洗液為硫酸、氫氟酸和水的混合液；(2)將經步驟(1)清洗后的晶圓用水清洗；(3)將經步驟(2)清洗后的晶圓用第二清洗液中清洗，所述第二清洗液為氫氟酸、鹽酸和水的混合液；(4)將經步驟(3)清洗后的晶圓用水清洗，干燥，結束清洗。本發明所述晶圓的清洗方法通過第一清洗液和第二清洗液的清洗，可以將晶圓表面的金屬雜質和有機物清洗徹底，提高后續的加工性能。

技術領域

本發明涉及一種零件的清洗方法，具體涉及一種晶圓的清洗方法。

背景技術

在晶圓的生產中，其表面往往會沾染各種揮發物，形成雜質。特別是金屬雜質的形成影響了晶圓的加工效果，嚴重的話對后續半導體的加工和使用造成不良的后果。目前采用的清洗方法均難以徹底清除進院表面的金屬雜質和有機物。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術存在的不足之處而提供一種晶圓的清洗方法。

為實現上述目的，本發明采取的技術方案為：一種晶圓的清洗方法，包括以下步驟：

(1)將待清洗的晶圓用第一清洗液進行清洗，所述第一清洗液為硫酸、氫氟酸和水的混合液；

(2)將經步驟(1)清洗后的晶圓用水清洗；

(3)將經步驟(2)清洗后的晶圓用第二清洗液中清洗，所述第二清洗液為氫氟酸、鹽酸和水的混合液；

(4)將經步驟(3)清洗后的晶圓用水清洗，干燥，結束清洗。

優選地，所述第一清洗液包含以下體積百分含量的組分：硫酸6～7％、氫氟酸5％和余量的水。

優選地，所述第二清洗液包含以下體積百分含量的組分：氫氟酸3～5％、鹽酸10％和余量的水。

優選地，步驟(1)中，所述清洗為：將待清洗的晶圓置于25～30℃的第一清洗液中浸泡15～25min。

優選地，步驟(3)中，所述清洗為：將經步驟(2)清洗后的晶圓置于25～30℃的第二清洗液中浸泡20～30min。

優選地，步驟(2)和步驟(4)中，所述水為電阻率＞20MΩ·cm的超純水。

優選地，步驟(2)中，所述用水清洗為：將經步驟(1)清洗后的晶圓置于75～85℃的水中20～40min。

優選地，步驟(4)中，所述用水清洗為：將經步驟(3)清洗后的晶圓置于75～85℃的水中20～40min。

本發明的有益效果在于：本發明提供了一種晶圓的清洗方法，本發明所述晶圓的清洗方法通過第一清洗液和第二清洗液的清洗，可以將晶圓表面的金屬雜質和有機物清洗徹底，提高后續的加工性能。

具體實施方式

為更好地說明本發明的目的、技術方案和優點，下面將結合具體實施例對本發明作進一步說明。

實施例1

本發明所述晶圓的清洗方法的一種實施例，本實施例所述晶圓的清洗方法包括以下步驟：

(1)將待清洗的晶圓置于28℃的第一清洗液中浸泡20min；所述第一清洗液包含以下體積百分含量的組分：硫酸6％、氫氟酸5％和余量的水；

(2)將經步驟(1)清洗后的晶圓置于80℃的電阻率＞20MΩ·cm的超純水中30min；

(3)將經步驟(2)清洗后的晶圓置于28℃的第二清洗液中浸泡25min，所述第二清洗液包含以下體積百分含量的組分：氫氟酸4％、鹽酸10％和余量的水；