[發明專利]晶圓的清洗方法在審
| 申請號： | 201911361279.5 | 申請日： | 2019-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN113053722A | 公開（公告）日： | 2021-06-29 |
| 發明（設計）人： | 彭忠華 | 申請（專利權）人： | 東莞新科技術研究開發有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 清洗 方法 | ||
1.一種晶圓的清洗方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將待清洗的晶圓用第一清洗液進行清洗，所述第一清洗液為硫酸、氫氟酸和水的混合液；
(2)將經步驟(1)清洗后的晶圓用水清洗；
(3)將經步驟(2)清洗后的晶圓用第二清洗液中清洗，所述第二清洗液為氫氟酸、鹽酸和水的混合液；
(4)將經步驟(3)清洗后的晶圓用水清洗，干燥，結束清洗。
2.如權利要求1所述晶圓的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液包含以下體積百分含量的組分：硫酸6～7％、氫氟酸5％和余量的水。
3.如權利要求1所述晶圓的清洗方法，其特征在于，所述第二清洗液包含以下體積百分含量的組分：氫氟酸3～5％、鹽酸10％和余量的水。
4.如權利要求1所述晶圓的清洗方法，其特征在于，步驟(1)中，所述清洗為：將待清洗的晶圓置于25～30℃的第一清洗液中浸泡15～25min。
5.如權利要求1所述晶圓的清洗方法，其特征在于，步驟(3)中，所述清洗為：將經步驟(2)清洗后的晶圓置于25～30℃的第二清洗液中20～30min。
6.如權利要求1所述晶圓的清洗方法，其特征在于，步驟(2)和步驟(4)中，所述水為電阻率＞20MΩ·cm的超純水。
7.如權利要求1所述晶圓的清洗方法，其特征在于，步驟(2)中，所述用水清洗為：將經步驟(1)清洗后的晶圓置于75～85℃的水中20～40min。
8.如權利要求1所述晶圓的清洗方法，其特征在于，步驟(4)中，所述用水清洗為：將經步驟(3)清洗后的晶圓置于75～85℃的水中20～40min。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
