[發明專利]一種用于化學鈍化的系統

有效

• 申請號: 201911357714.7
• 申請日: 2019-12-25
• 公開（公告）號: CN111092035B
• 公開（公告）日: 2022-05-24
• 發明（設計）人: 張翔;蒲以松
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉材料科技有限公司;西安奕斯偉硅片技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

本發明公開了一種用于化學鈍化的系統，包括氣泡去除裝置、樣品載臺、封口機構，氣泡去除裝置位于樣品載臺的上方，封口機構位于氣泡去除裝置的上方，氣泡去除裝置和樣品載臺的樣品放置區對向設置，封口機構的封口部位與樣品載臺的封口區對向設置，樣品載臺用于在樣品放置區放置待封口樣品；氣泡去除裝置用于使鈍化液體均勻地散布在待封口樣品上，去除裝載有待封口樣品的封口膜中的氣泡以及多余的鈍化液體；封口機構用于將封口區中的封口膜進行封口。本發明的用于化學鈍化的系統不需要人為去除封口膜中的氣泡，可以精準地對封口膜進行塑封，提高了化學鈍化的效果和效率，減少了因為操作人員水平問題造成的鈍化效果之間的差異。

技術領域

本發明屬于鈍化技術領域，具體涉及一種用于化學鈍化的系統。

背景技術

隨著集成電路的集成度不斷增大，對所需的襯底單晶硅片的質量要求也越來越高，人們常用非平衡態少數載流子壽命(少子壽命)來反映硅片質量的好壞。硅片的少子壽命是指：在大于半導體禁帶寬度的能量(1.12eV)激勵下，被激發的空穴-電子對少數載流子復合的平均時間。而金屬和缺陷會成為有效的復合中心，當硅片中有較多的金屬和缺陷時，會導致少子壽命大幅下降，所以少子壽命的長短能夠反應硅片品質。

目前，檢測硅片少子壽命的方法主要是微波光電導衰退法(Microwave Photo-Conductance Decay，μ-PCD)。微波光電導衰退法是利用大于硅禁帶寬度的脈沖激光對硅片表面進行照射，產生的空穴-電子能夠增大其光電導率，隨著激光的撤除，光電導率呈指數衰退，利用微波反射強度的變化探測光電導率的變化，從而得出少子的壽命。但是由于硅片表面存在的懸掛鍵會成為有效的復合中心，導致測得的少子壽命并不是真實的硅片少子壽命。為了消除表面復合的影響，需要對硅片表面進行鈍化。常用的鈍化方法有氧化鈍化、電荷沉積鈍化、化學鈍化。氧化鈍化就是在氧化爐中進行熱氧處理，硅片表面生長一層氧化層；電荷沉積鈍化是通過電暈放電技術在硅片表面沉積與少子電性相同的電荷，來飽和懸掛鍵以及減少少子向表面擴散；化學鈍化是在特殊材質的塑封袋(即封口膜)中用碘酒對硅片表面進行鈍化，塑封過后進行測試。氧化鈍化在氧化過程中容易引入新的污染，而電荷沉積鈍化速度較慢并且致密性不高，而化學鈍化能夠更好地消除表面負荷的影響，成為主要的硅片表面鈍化方法。

但是，在化學鈍化的過程中，由于需要人為的將塑封袋中的氣泡和多余的碘液去除，再將包裹硅片的長方形塑料袋多次塑封后變為包緊硅片的圓形，這樣一來會產生處理時間較長、效率低下的問題，并且化學鈍化的結果會由于操作人員水平的不同而產生差異，造成較大的誤差。

發明內容

為了解決現有技術中存在的上述問題，本發明提供了一種用于化學鈍化的系統。本發明要解決的技術問題通過以下技術方案實現：

一種用于化學鈍化的系統，包括：可旋轉的氣泡去除裝置、可旋轉的樣品載臺和可上下移動的封口機構；

所述氣泡去除裝置位于所述樣品載臺的上方，所述封口機構位于所述氣泡去除裝置的上方，且所述氣泡去除裝置和所述樣品載臺的樣品放置區對向設置，所述封口機構的封口部位與所述樣品載臺的封口區對向設置，其中，

所述樣品載臺用于在所述樣品放置區放置待封口樣品；

所述氣泡去除裝置用于在所述樣品放置區與所述氣泡去除裝置之間的距離為預設距離時，使鈍化液體均勻地散布在所述待封口樣品上，并去除裝載有所述待封口樣品的封口膜中的氣泡以及多余的所述鈍化液體；

所述封口機構用于對所述封口區中的所述封口膜進行封口。

在本發明的一個實施例中，還包括第一移動機構，所述第一移動機構連接所述樣品載臺，以驅動所述樣品載臺進行上下移動。

在本發明的一個實施例中，所述第一移動機構包括第一伸縮件，所述第一伸縮件位于所述樣品載臺的下方，且所述第一伸縮件的一端與所述樣品載臺的下端面連接，以進行伸縮運動帶動所述樣品載臺進行上下移動。