[發明專利]聚合物和硬掩模組合物以及形成圖案的方法

有效

• 申請號: 201911356022.0
• 申請日: 2019-12-25
• 公開（公告）號: CN111378084B
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發明（設計）人: 樸昭姸;金永珉;兪龍植
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: C08G12/26
• 分類號: C08G12/26;G03F7/004;G03F7/00;G03F7/11
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

本發明公開一種聚合物、一種包含聚合物的硬掩模組合物以及一種使用硬掩模組合物來形成圖案的方法，聚合物包含通過反應混合物的反應獲得的結構單元，反應混合物包含：經取代或未經取代的吲哚或其衍生物；在末端處具有經取代或未經取代的C3到C20支鏈烷基的第一芳香族醛化合物；以及與第一芳香族醛化合物不同的第二芳香族醛化合物。

相關申請的交叉引用

本申請要求2018年12月26日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請第10-2018-0169596號的優先權和權益，所述韓國專利申請的全部內容以引用的方式并入本文中。

技術領域

公開一種聚合物、一種包含所述聚合物的硬掩模組合物以及一種使用所述硬掩模組合物形成圖案的方法。

背景技術

近來，半導體行業已發展到具有幾納米到幾十納米大小的圖案的超精細技術。這種超精細技術主要需要有效的光刻技術。

典型的光刻技術包含：在半導體襯底上設置材料層；在材料層上涂布光刻膠層；使光刻膠層曝光并且顯影以提供光刻膠圖案；以及將光刻膠圖案用作掩模來刻蝕材料層。

當今，根據待形成的圖案的較小大小，僅僅通過上述典型光刻技術難以提供具有極佳輪廓的精細圖案。因此，可在材料層與光刻膠層之間形成稱為硬掩模層的輔助層來提供精細圖案。

發明內容

一實施例提供可有效地適用于硬掩模層的聚合物。

另一實施例提供一種包含所述聚合物的硬掩模組合物。

另一實施例提供一種使用硬掩模組合物形成圖案的方法。

根據實施例，聚合物包含：通過反應混合物的反應獲得的結構單元，所述反應混合物包含經取代或未經取代的吲哚或其衍生物；在末端處具有經取代或未經取代的C3到C20支鏈烷基的第一芳香族醛(aromatic?aldehyde)化合物；以及與第一芳香族醛化合物不同的第二芳香族醛化合物。

吲哚或其衍生物可以由化學式1表示。

[化學式1]

在化學式1中，

Z¹是氫、羥基、鹵素原子、經取代或未經取代的C1到C30烷氧基、經取代或未經取代的C1到C30烷基、經取代或未經取代的C1到C30環烷基、經取代或未經取代的C2到C30烯基、經取代或未經取代的C2到C30炔基、經取代或未經取代的C6到C30芳基、經取代或未經取代的C1到C30雜烷基、經取代或未經取代的C2到C30雜環基或其組合，

Z²和Z³獨立地是羥基、鹵素原子、經取代或未經取代的C1到C30烷氧基、經取代或未經取代的C1到C30烷基、經取代或未經取代的C1到C30環烷基、經取代或未經取代的C2到C30烯基、經取代或未經取代的C2到C30炔基、經取代或未經取代的C6到C30芳基、經取代或未經取代的C1到C30雜烷基、經取代或未經取代的C2到C30雜環基或其組合，

m是0到4的整數，且

n是0到2的整數。

經取代或未經取代的C3到C20支鏈烷基可以是經取代或未經取代的叔丁基。

第一芳香族醛化合物可包含選自族群1的經取代或未經取代的芳香族環中的至少一種。

[族群1]

第一芳香族醛化合物可以是經C3到C20支鏈烷基取代的苯甲醛、經C3到C20支鏈烷基取代的萘甲醛、經C3到C20支鏈烷基取代的蒽甲醛或經C3到C20支鏈烷基取代的芘甲醛。