[發明專利]薄膜晶體管的圖案制作方法、薄膜晶體管以及光罩有效
| 申請號: | 201911354912.8 | 申請日: | 2019-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN111128878B | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發明(設計)人: | 鐘舒婷;張寧 | 申請(專利權)人: | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368;G03F1/00;G03F7/20 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 楊艇要 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 圖案 制作方法 以及 | ||
1.一種薄膜晶體管TFT的圖案制作方法,其特征在于,所述方法包括:
所述TFT接收噴涂裝置涂布第一光阻;
所述TFT通過覆蓋在所述TFT上的第一類型的光罩接收曝光裝置的第一次曝光,所述第一類型為第一列子像素上方無遮光層,第二列子像素和第三列子像素上方均有所述遮光層,所述第一列子像素、所述第二列子像素、所述第三列子像素組成一組像素色塊,所述光罩由相鄰的不同時點接收曝光裝置曝光時對應的三種類型構成;
所述TFT進行第一次顯影,形成第一圖案;
所述TFT接收所述噴涂裝置在所述第一圖案上涂布第二光阻;
所述TFT通過第二類型的光罩接收所述曝光裝置的第二次曝光,所述第二類型為所述第二列子像素上方無所述遮光層,所述第一列子像素和所述第三列子像素上方均有所述遮光層;
所述TFT進行第二次顯影,形成第二圖案;
所述TFT接收所述噴涂裝置在所述第二圖案上涂布第三光阻;
所述TFT通過第三類型的光罩接收所述曝光裝置的第三次曝光,所述第三類型為所述第三列子像素上方無所述遮光層,所述第一列子像素和所述第二列子像素上方均有所述遮光層;
所述TFT進行第三次顯影,形成目標圖案,其中,在所述光罩的所述三種類型的其中兩個類型中,在兩列所述子像素的所述遮光層上,至少有一列所述子像素的所述遮光層上開設有孔,以使每列子像素包括所述第一光阻、所述第二光阻以及所述第三光阻的至少兩種光阻,所述孔的位置與所述TFT的位置相對應。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述光罩的所述三種類型的其中兩個類型中,在兩列所述子像素的所述遮光層上,至少有一列所述子像素的所述遮光層上開設有孔,以使每列子像素包括所述第一光阻、所述第二光阻以及所述第三光阻的至少兩種光阻進一步為:
在所述三種類型的各個類型中,在兩列所述子像素的所述遮光層上,至少有一列所述子像素的所述遮光層上開設有孔,以使至少有一列子像素包括所述第一光阻、所述第二光阻以及所述第三光阻的三種光阻。
3.根據權利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述孔位于所述遮光層上與所述子像素對應的右上方。
4.根據權利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述第一光阻、所述第二光阻以及所述第三光阻依次分別為紅色光阻、綠色光阻以及藍色光阻。
5.根據權利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述第一列子像素、所述第二列子像素以及所述第三列子像素依次分別為紅色像素、綠色像素以及藍色像素。
6.一種用于如權利要求1所述的薄膜晶體管TFT的圖案制作方法的光罩,其特征在于:
所述光罩由相鄰的不同時點接收曝光裝置曝光時對應的三種類型構成,所述三種類型分別為:
第一類型,所述第一類型為薄膜晶體管TFT通過所述光罩的所述第一類型接收所述曝光裝置的第一次曝光時,第一列子像素上方無遮光層,第二列子像素和第三列子像素上方均有所述遮光層,所述第一列子像素、所述第二列子像素、所述第三列子像素組成一組像素色塊;
第二類型,所述第二類型為所述TFT通過所述光罩的所述第二類型接收所述曝光裝置的第二次曝光時,所述第二列子像素上方無所述遮光層,所述第一列子像素和所述第三列子像素上方均有所述遮光層;
第三類型,所述第三類型為所述TFT通過所述光罩的所述第三類型接收所述曝光裝置的第三次曝光時,所述第三列子像素上方無所述遮光層,所述第一列子像素和所述第二列子像素上方均有所述遮光層,其中,在所述光罩的所述三種類型的其中兩個類型中,在兩列所述子像素的所述遮光層上,至少有一列所述子像素的所述遮光層上開設有孔,以使每列子像素包括所述第一光阻、所述第二光阻以及所述第三光阻的至少兩種光阻,所述孔的位置與薄膜晶體管TFT的位置相對應,所述TFT為薄膜晶體管顯示器TFT-LCD基板上的TFT區域,所述TFT上方覆蓋有所述光罩。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





