[發(fā)明專利]COA基板及液晶顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911348577.0
• 申請(qǐng)日: 2019-12-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111061103B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張琪;曹武
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;H01L27/12
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 呂姝娟

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種COA基板及液晶顯示面板，所述COA基板由多條縱橫交錯(cuò)的數(shù)據(jù)線和掃描線，以及由所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線組成的像素單元；所述像素單元分為：像素單元的開(kāi)口區(qū)和像素單元的非開(kāi)口區(qū)；所述像素單元的非開(kāi)口區(qū)內(nèi)設(shè)置有：所述數(shù)據(jù)線、所述掃描線、晶體管部、DBS公共電極走線以及電性連接所述晶體管部的像素過(guò)孔，所述像素單元的非開(kāi)口區(qū)內(nèi)的所述DBS公共電極走線繞開(kāi)所述像素過(guò)孔；有益效果為：本申請(qǐng)?zhí)峁┑腃OA基板，通過(guò)將所述像素單元的非開(kāi)口區(qū)內(nèi)的所述DBS公共電極走線繞開(kāi)所述像素過(guò)孔，避免所述像素過(guò)孔處的像素電極與所述DBS公共電極走線接觸，出現(xiàn)短路。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種COA基板及液晶顯示面板。

背景技術(shù)

Multi-domain alignment liquid crystal displays(MVA LCDs，多域取向液晶顯示器)憑借其高對(duì)比和廣視角的優(yōu)勢(shì)在大尺寸液晶顯示面板中得到了廣泛的應(yīng)用。隨著屏幕尺寸向大屏化的逐步演化，八域的像素設(shè)計(jì)以其優(yōu)異的視角表現(xiàn)而在大尺寸顯示器中受到重視，但像素尺寸細(xì)化和域數(shù)的增加嚴(yán)重導(dǎo)致了面板穿透率的降低，而DBS(Data LineBM Less，數(shù)據(jù)線上方無(wú)黑色矩陣)技術(shù)的出現(xiàn)使得穿透率得到了很好的提升。

在COA(Color Film On Array，設(shè)置有彩膜層的COA基板)基板中，像素尺寸較小時(shí)，無(wú)法實(shí)現(xiàn)封閉式的像素過(guò)孔結(jié)構(gòu)，所述像素過(guò)孔的形狀為半開(kāi)口狀，使得在同一孔內(nèi)出現(xiàn)像素電極與DBS走線兩種結(jié)構(gòu)。由于色阻層較厚，采用光刻膠照射時(shí)，部分色阻層容易造成堆積，導(dǎo)致像素過(guò)孔上殘留有DBS走線，使得所述像素過(guò)孔與所述DBS走線發(fā)生短路的情況。

因此，現(xiàn)有的液晶顯示面板技術(shù)中，還存在著液晶顯示面板內(nèi)的所述DBS走線容易殘留在所述像素過(guò)孔上，造成所述像素過(guò)孔與所述DBS走線短路的問(wèn)題，急需改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種COA基板及液晶顯示面板，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中存在著的液晶顯示面板內(nèi)的所述DBS走線容易殘留在所述像素過(guò)孔上，造成所述像素過(guò)孔與所述DBS走線短路的問(wèn)題。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種COA基板，所述COA基板由多條縱橫交錯(cuò)的數(shù)據(jù)線和掃描線，以及由所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線組成的像素單元；所述像素單元分為：像素單元的開(kāi)口區(qū)和像素單元的非開(kāi)口區(qū)；所述像素單元的非開(kāi)口區(qū)內(nèi)設(shè)置有：所述數(shù)據(jù)線、所述掃描線、晶體管部、DBS公共電極走線以及電性連接所述晶體管部的像素過(guò)孔，所述像素單元的非開(kāi)口區(qū)內(nèi)的所述DBS公共電極走線繞開(kāi)所述像素過(guò)孔，避免所述像素過(guò)孔處的像素電極與所述DBS公共電極走線接觸，出現(xiàn)短路。

在本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊粚?shí)施例中，所述DBS公共電極走線在所述像素單元的非開(kāi)口區(qū)內(nèi)的形狀為“Z”字形，所述“Z”字形的兩條邊平行于所述掃描線。

在本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊粚?shí)施例中，所述DBS公共電極走線在所述像素單元的非開(kāi)口區(qū)內(nèi)的形狀為鋸齒形，所述鋸齒形的開(kāi)口正對(duì)于所述像素過(guò)孔。

在本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊粚?shí)施例中，所述DBS公共電極走線在所述像素單元的非開(kāi)口區(qū)內(nèi)的形狀為弧形，所述弧形的開(kāi)口正對(duì)于所述像素過(guò)孔。

在本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊粚?shí)施例中，所述DBS公共電極走線在所述像素單元的非開(kāi)口區(qū)內(nèi)的寬度小于所述DBS公共電極走線在所述像素單元的開(kāi)口區(qū)內(nèi)的寬度，且所述像素單元的非開(kāi)口區(qū)內(nèi)的所述DBS公共電極走線遠(yuǎn)離所述像素過(guò)孔的一側(cè)與所述像素單元的開(kāi)口區(qū)內(nèi)的所述DBS公共電極走線遠(yuǎn)離所述像素過(guò)孔的一側(cè)位于同一條直線。

在本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊粚?shí)施例中，所述像素單元開(kāi)口區(qū)內(nèi)的所述DBS公共電極走線平行于所述數(shù)據(jù)線進(jìn)行設(shè)置，且所述DBS公共電極走線的寬度大于所述數(shù)據(jù)線的寬度，即所述像素單元開(kāi)口區(qū)內(nèi)的所述數(shù)據(jù)線的兩側(cè)均不超過(guò)所述DBS公共電極走線投影的兩側(cè)。

在本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊粚?shí)施例中，所述DBS公共電極走線、主像素電極和子像素電極的材料均采用金屬氧化物氧化銦錫。