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[發(fā)明專利]COA基板及液晶顯示面板有效

專利信息
申請?zhí)枺?/td> 201911348577.0 申請日: 2019-12-24
公開(公告)號: CN111061103B 公開(公告)日: 2021-02-26
發(fā)明(設(shè)計)人: 張琪;曹武 申請(專利權(quán))人: 深圳市華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司
主分類號: G02F1/1362 分類號: G02F1/1362;H01L27/12
代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 代理人: 呂姝娟
地址: 518132 廣東省深*** 國省代碼: 廣東;44
權(quán)利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關(guān)鍵詞: coa 液晶顯示 面板
【權(quán)利要求書】:

1.一種COA基板,其特征在于,所述COA基板由多條縱橫交錯的數(shù)據(jù)線和掃描線,以及由所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線組成的像素單元;

所述像素單元分為:像素單元的開口區(qū)和像素單元的非開口區(qū);

所述像素單元的開口區(qū)內(nèi)設(shè)置有:主區(qū)像素電極和次區(qū)像素電極;

所述像素單元的非開口區(qū)內(nèi)設(shè)置有:所述數(shù)據(jù)線、所述掃描線、晶體管部、DBS公共電極走線以及電性連接所述晶體管部的像素過孔,所述多條數(shù)據(jù)線的上方還覆蓋有遮擋所述多條數(shù)據(jù)線的DBS公共電極走線,所述DBS公共電極走線與所述主區(qū)像素電極和所述次區(qū)像素電極同層設(shè)置并相互間隔,所述DBS公共電極走線用于接入COA基板公共電壓,以控制與所述DBS公共電極走線的位置對應(yīng)的液晶分子保持不偏轉(zhuǎn)的狀態(tài),所述像素單元的非開口區(qū)內(nèi)的所述DBS公共電極走線繞開所述像素過孔,避免所述像素過孔處的像素電極與所述DBS公共電極走線接觸,出現(xiàn)短路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的COA基板,其特征在于,所述DBS公共電極走線在所述像素單元的非開口區(qū)內(nèi)的形狀為“Z”字形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的COA基板,其特征在于,所述DBS公共電極走線在所述像素單元的非開口區(qū)內(nèi)的形狀為鋸齒形,所述鋸齒形的開口正對于所述像素過孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的COA基板,其特征在于,所述DBS公共電極走線在所述像素單元的非開口區(qū)內(nèi)的形狀為弧形,所述弧形的開口正對于所述像素過孔。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的COA基板,其特征在于,所述DBS公共電極走線在所述像素單元的非開口區(qū)內(nèi)的寬度小于所述DBS公共電極走線在所述像素單元的開口區(qū)內(nèi)的寬度,且所述像素單元的非開口區(qū)內(nèi)的所述DBS公共電極走線遠離所述像素過孔的一側(cè)與所述像素單元的開口區(qū)內(nèi)的所述DBS公共電極走線遠離所述像素過孔的一側(cè)位于同一條直線。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的COA基板,其特征在于,所述像素單元開口區(qū)內(nèi)的所述DBS公共電極走線平行于所述數(shù)據(jù)線進行設(shè)置,且所述DBS公共電極走線的寬度大于所述數(shù)據(jù)線的寬度,即所述像素單元開口區(qū)內(nèi)的所述數(shù)據(jù)線的兩側(cè)均不超過所述DBS公共電極走線投影的兩側(cè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的COA基板,其特征在于,所述DBS公共電極走線、所述主區(qū)像素電極和所述次區(qū)像素電極的材料均采用金屬氧化物氧化銦錫。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的COA基板,其特征在于,所述掃描線平行于所述像素單元的非開口區(qū),異面垂直于所述數(shù)據(jù)線進行設(shè)置。

9.一種液晶顯示面板,其特征在于,所述液晶顯示面板包括:第一基板、第二基板以及設(shè)置在所述第一基板與所述第二基板之間的液晶層,所述第一基板采用上述權(quán)利要求1-8任一項所述的COA基板。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示面板,其特征在于,所述第二基板上設(shè)置有黑色矩陣,所述黑色矩陣平行于所述掃描線,即所述黑色矩陣平行于像素單元的非開口區(qū)進行設(shè)置。

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