[發明專利]存儲器在審
| 申請號: | 201911345781.7 | 申請日: | 2019-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN111026236A | 公開(公告)日: | 2020-04-17 |
| 發明(設計)人: | 鄧玉良;唐越;殷中云;方曉偉;楊彬;蘇通;李昂陽;朱曉銳 | 申請(專利權)人: | 深圳市國微電子有限公司 |
| 主分類號: | G06F1/16 | 分類號: | G06F1/16 |
| 代理公司: | 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414 | 代理人: | 符亞飛 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器 | ||
本發明涉及電子器件技術領域,提供一種存儲器,包括封閉腔體、設于封閉腔體內的若干存儲芯片以及設于封閉腔體內且用于向存儲芯片提供退火熱源的若干加熱件。本發明的存儲器將存儲芯片與加熱件封裝在一個封閉腔體內,確保退火時的隔溫要求,同時,加熱件則為存儲芯片提供熱源以滿足其退火需求。這樣,在極端環境下,或者,不適宜將存儲芯片拆卸進行退火的條件下,本申請的存儲器能夠實現自主地退火,避免對存儲器進行拆卸來實現退火維護。
技術領域
本發明涉及電子器件技術領域,尤其提供一種存儲器。
背景技術
存儲器作為數據存儲載體,是電子系統的重要組成部分。近年來存儲器向著低功耗、高密度的方向發展,工藝尺寸也越來越小。目前使用的主流存儲器為Flash和DRAM,由于存儲單元結構,其工藝尺寸減小使得器件易受外界輻射粒子的影響,出現晶體管漏電、絕緣特性下降等結構退化使得存儲信息保持時間降低,器件失效。這些氧化層缺陷引起的失效,可以通過退火來得到恢復。因此,需要進行退火來消除上述問題。然而,現有的退火方式是將存儲器取下,并放置在退火爐中進行退火。但是,在極端條件或是不適宜將存儲器取下的情況,存儲器則無法通過退火恢復。
發明內容
本發明的目的在于提供一種存儲器,旨在解決現有的存儲器無法實現自主退火的問題。
為實現上述目的,本發明采用的技術方案是:一種存儲器,包括封閉腔體、設于所述封閉腔體內的若干存儲芯片以及設于所述封閉腔體內且用于向各所述存儲芯片提供退火熱源的若干加熱件。
在一個實施例中,所述存儲芯片和所述加熱件的數量均為一個,所述存儲芯片和所述加熱件自上而下層疊設于所述封閉腔體內。
在一個實施例中,所述存儲芯片的數量至少為兩個,所述加熱件的數量至少為一個,各所述存儲芯片與各所述加熱件自下而上依次交替層疊設置于所述封閉腔體內。
在一個實施例中,所述存儲芯片設于所述封閉腔體的底部內側,所述加熱件設于所述封閉腔體的頂部內側。
在一個實施例中,所述存儲芯片設于所述封閉腔體的底部內側,所述加熱件圍設于所述存儲芯片的外側。
在一個實施例中,所述存儲器還包括第一輔助加熱件,所述第一輔助加熱件設于所述封閉腔體的頂部內側。
在一個實施例中,所述存儲器還包括第二輔助加熱件,所述第二輔助加熱件圍設于所述存儲芯片的外側。
在一個實施例中,所述存儲器還包括第二輔助加熱件,所述第二輔助加熱件圍設于所述存儲芯片的外側。
在一個實施例中,所述加熱件為加熱芯片、電阻絲以及碳棒中的一種或多種。
在一個實施例中,所述加熱芯片包括芯片本體、設于所述芯片本體上的且獨立工作的若干加熱單元以及設于所述芯片本體上的若干溫度傳感器。
本發明的有益效果:本發明的提供的存儲器,將存儲芯片與加熱件封裝在一個封閉腔體內,確保退火時的隔溫要求,同時,加熱件則為存儲芯片提供熱源以滿足其退火需求。這樣,在極端環境下,或者,不適宜將存儲芯片拆卸進行退火的條件下,本申請的存儲器能夠實現自主地退火,避免對存儲器進行拆卸來實現退火維護。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發明實施例一提供的存儲器的剖面圖;
圖2為本發明實施例一提供的存儲器的另一剖面圖;
圖3為本發明實施例一提供的存儲器的又一剖面圖;
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