[發明專利]具有多個發光單元的發光二極管

在審

• 申請號: 201911345709.4
• 申請日: 2017-11-02
• 公開（公告）號: CN111048547A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 吳世熙;金賢兒;金鐘奎;蔡鐘炫
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/62;H01L33/10;H01L33/60;H01L33/40
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 全振永;李盛泉

本發明提供一種具有多個發光單元的發光二極管，包括：基板；多個發光單元；歐姆反射層，歐姆接觸第二導電型半導體層；下部絕緣層，覆蓋發光單元及歐姆反射層，具有使第一導電型半導體層及歐姆反射層暴露的開口部；連接部，布置于下部絕緣層，電連接發光單元而形成串聯矩陣；第一墊金屬層，與第一導電型半導體層電連接；第二墊金屬層，與歐姆反射層電連接；上部絕緣層，覆蓋連接部、第一墊金屬層及第二墊金屬層，具有使第一墊金屬層及第二墊金屬層的上表面暴露的開口部；第一、第二凸起墊，連接于第一墊金屬層及第二墊金屬層，其中，第一、第二凸起墊具有第一、第二凸起墊外側部，連接部相比于第一、第二凸起墊外側部位于更內側。

本申請是申請日為2017年11月2日、申請號為201780074372.0、題為“具有多個發光單元的發光二極管”的專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及一種發光二極管，尤其涉及一種具有多個發光單元的發光二極管。

背景技術

通常，諸如氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)等III族元素的氮化物熱穩定性良好且具有直接躍遷型能S帶(band)結構，因此近來作為可見光及紫外線區域的光源用物質而備受矚目。尤其，利用氮化銦鎵(InGaN)的藍色發光二極管及綠色發光二極管應用于大規模自然色平板顯示裝置、信號燈、室內照明、高密度光源、汽車前照燈、高分辨率輸出系統及光通信等多種應用領域。

通常，發光二極管經過封裝工序而以封裝形態進行使用。然而，最近對于發光二極管正在進行關于在芯片級別執行封裝工序的芯片級(chip scale)封裝形態的發光二極管的研究。由于這種發光二極管的尺寸小于一般的封裝件，并且無需單獨執行封裝工序，因此能夠進一步簡化工藝，從而能夠節約時間及成本。芯片級封裝形態的發光二極管大體具有倒裝芯片形狀的電極結構，因此散熱特性良好。

另外，將多個發光單元串聯連接的發光二極管正在開發中。這樣的發光二極管可以在高電壓低電流條件下使一個發光二極管工作，從而能夠緩解發光二極管的衰減(droop)現象。

然而，為了將多個發光單元串聯連接而使用的連接部受到由發光單元形成的基板上的形貌影響容易發生斷線，并且，易于發生水分從外部浸透而導致連接部受損等可靠性問題。

并且，在多個發光單元串聯連接的情況下，凸起墊電連接于一個發光單元，因此可能限制凸起墊未電連接的發光單元中的通過凸起墊的散熱。

進而，當在未電連接的發光單元上部布置有凸起墊時，在凸起墊與發光單元的電極之間可能發生較高的電位差，從而可能會導致絕緣擊穿等原件不良。

發明內容

技術問題

本發明要解決的課題在于提供一種具有串聯連接的多個發光單元并提高了可靠性的發光二極管。

本發明要解決的又一課題在于提供一種具有多個發光單元且具有芯片級封裝形態的倒裝芯片結構的發光二極管。

本發明要解決的又一課題在于提供一種能夠防止沿由于發光單元產生的基板上的形貌而形成的連接部的損傷的發光二極管。

本發明要解決的又一課題在于提供一種可靠性高且光提取效率高的發光二極管。

本發明要解決的又一課題在于提供一種能夠不對發光二極管的結構進行復雜的變更也能夠有效地防止焊料等焊接材料擴散以提高可靠性的發光二極管。

本發明要解決的又一課題在于提供一種具有串聯連接的多個發光單元并提高了散熱性能的發光二極管。

本發明要解決的又一課題在于提供一種能夠調節發光單元與凸起墊之間的電位差而防止絕緣擊穿的芯片級封裝形態的倒裝芯片結構的發光二極管。

技術方案