[發(fā)明專利]具有多個(gè)發(fā)光單元的發(fā)光二極管在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911345709.4 | 申請(qǐng)日： | 2017-11-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111048547A | 公開（公告）日： | 2020-04-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 吳世熙;金賢兒;金鐘奎;蔡鐘炫 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 首爾偉傲世有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/15 | 分類號(hào)： | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/10;H01L33/60;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 全振永;李盛泉 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 發(fā)光 單元 發(fā)光二極管 | ||
1.一種發(fā)光二極管，包括：
基板；
多個(gè)發(fā)光單元，包括分別形成于所述基板上的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；
歐姆反射層，歐姆接觸于各個(gè)發(fā)光單元的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；
下部絕緣層，覆蓋所述發(fā)光單元及歐姆反射層，并且具有使各個(gè)發(fā)光單元的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及歐姆反射層暴露的開口部；
多個(gè)連接部，布置于所述下部絕緣層上，用于串聯(lián)電連接相鄰的發(fā)光單元而形成發(fā)光單元的串聯(lián)矩陣；
第一墊金屬層，通過所述下部絕緣層的開口部與布置于所述串聯(lián)矩陣的末端的最后一個(gè)發(fā)光單元的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層電連接；
第二墊金屬層，通過所述下部絕緣層的開口部與布置于所述串聯(lián)矩陣的首端的第一發(fā)光單元的歐姆反射層電連接；
上部絕緣層，覆蓋所述連接部、所述第一墊金屬層及第二墊金屬層，并且具有使所述第一墊金屬層及第二墊金屬層的上表面分別暴露的開口部；以及
第一凸起墊和第二凸起墊，分別連接于通過所述上部絕緣層的開口部暴露的所述第一墊金屬層及第二墊金屬層的上表面，
其中，所述第一凸起墊及第二凸起墊具有靠近基板側(cè)的第一凸起墊外側(cè)部及第二凸起墊外側(cè)部，
所述多個(gè)連接部相比于所述第一凸起墊外側(cè)部及第二凸起墊外側(cè)部位于更內(nèi)側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，
所述第一墊金屬層限定布置于所述最后一個(gè)發(fā)光單元的上部區(qū)域內(nèi)，所述第二墊金屬層限定布置于所述第一發(fā)光單元的上部區(qū)域內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其中，
所述第二墊金屬層被連接部包圍。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，
所述連接部、所述第一墊金屬層及第二墊金屬層利用同一種材料形成而位于同一水平位置。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，
使所述歐姆反射層暴露的所述下部絕緣層的開口部與使所述第二墊金屬層暴露的所述上部絕緣層的開口部在橫方向上隔開而互不重疊。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，
至少一個(gè)發(fā)光單元具有貫通所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及活性層而使所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層暴露的貫通孔。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其中，
所述連接部通過所述貫通孔電連接于所述發(fā)光單元的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，
所述上部絕緣層覆蓋所述基板的邊緣部位與所述發(fā)光單元之間的區(qū)域，并且從所述上部絕緣層的邊緣部位到所述連接部之間的距離為15μm以上。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，
所述連接部直接接觸于通過所述下部絕緣層的開口部暴露的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及歐姆反射層。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管，其中，
所述連接部在所述發(fā)光單元的邊緣部位附近接觸于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
11.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，
各個(gè)發(fā)光單元的至少一部分與所述第一凸起墊及第二凸起墊中的至少一個(gè)的一部分重疊，
各個(gè)發(fā)光單元的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與所述第一凸起墊及第二凸起墊中的重疊于該發(fā)光單元的凸起墊之間的電位差為5Vf以下，在此，Vf是施加于所述第一凸起墊與所述第二凸起墊之間的正向電壓除以發(fā)光單元的數(shù)量而得到的值。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
