[發明專利]一種無需焊線的半導體芯片封裝結構和封裝方法

在審

• 申請號: 201911345558.2
• 申請日: 2019-12-24
• 公開（公告）號: CN110896058A
• 公開（公告）日: 2020-03-20
• 發明（設計）人: 涂波;鄭香奕
• 申請（專利權）人: 深圳市潔簡達創新科技有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/495;H01L21/48
• 代理公司: 東莞合方知識產權代理有限公司 44561
• 代理人: 許建成

本發明公開了一種無需焊線的半導體芯片封裝結構和封裝方法，半導體芯片封裝結構包括至少一層封裝結構，所述封裝結構包括底材、在所述底材上排布有半導體芯片，所述半導體芯片的管腳連接經金屬膜或者合金膜雕刻或者蝕刻而成的導電線路，還包括封裝膠水層，所述封裝膠水層覆蓋所述半導體芯片和所述導電線路。半導體芯片封裝方法包括步驟：A1、在底材上排布半導體芯片；A2、在所述半導體芯片的周圍制作金屬膜或者合金膜；A3、對所述金屬膜或者所述合金膜雕刻或者蝕刻形成導電線路；A4、在所述半導體芯片和所述導電線路的上方覆蓋封裝膠水層。本發明可以成百倍提高生產效率；本發明大幅提高了封裝結構的耐冷熱變化的性能。

技術領域

本發明涉及芯片封裝技術領域，具體涉及一種無需焊線的半導體芯片封裝結構和封裝方法。

背景技術

現有技術的半導體芯片封裝方法一般采用在基板或支架上固定半導體芯片，然后對半導體芯片管腳與外部導線進行焊接、封膠的方法，或者采用在基板或支架上倒裝固定半導體芯片，然后絲印錫膏，進行回流焊、封膠的方法。傳統的半導體芯片封裝方法還有DIP、PLCC、SOP、CSP等等。LED芯片封裝方法包括直插式、SMD、COB、CSP等。現有技術的半導體芯片封裝方法焊線設備成本高，焊線材料貴，燒球溫度高，壓力及其他參數控制不易，導致封裝產品良率損失，而且焊墊容易損傷，由于需要焊線，導致封裝時間長、生產效率低。而倒裝芯片封裝方法需要絲印錫膏，材料成本高，回流焊溫度高，控制復雜，金、銀、錫或金、錫共晶的過程不好控制，高溫對封裝材料有破壞。

發明內容

本發明要解決的技術問題在于，提供一種無需焊線的半導體芯片封裝結構和封裝方法，克服現有技術半導體芯片封裝工藝，焊線設備成本高，焊線材料貴，燒球溫度高，壓力及其他參數不易控制，導致封裝產品良品率低，而且焊墊容易損傷的缺陷以及需要焊線，導致封裝時間長、生產效率低的缺陷。

本發明為解決上述技術問題所采用的技術方案為：

一種無需焊線的半導體芯片封裝結構，包括至少一層封裝結構，所述封裝結構包括底材、在所述底材上排布有半導體芯片，所述半導體芯片的管腳連接經金屬膜或者合金膜雕刻或者蝕刻而成的導電線路，還包括封裝膠水層，所述封裝膠水層覆蓋所述半導體芯片和所述導電線路。

根據本發明的實施例，所述金屬膜或者所述合金膜由真空蒸鍍、磁控濺鍍、連續鍍膜、水電鍍膜或者化學鍍膜方式成膜。

根據本發明的實施例，所述導電線路由激光雕刻或蝕刻形成。

根據本發明的實施例，所述封裝膠水層經電磁波固化。

根據本發明的實施例，所述底材設為玻璃或者塑料、PCB板，所述封裝結構設為2層至96層的封裝結構。

一種無需焊線的半導體芯片封裝方法，包括步驟：

A1、在底材上排布半導體芯片；

A2、在所述半導體芯片的周圍制作金屬膜或者合金膜；

A3、對所述金屬膜或者所述合金膜雕刻或者蝕刻形成導電線路；

A4、在所述半導體芯片和所述導電線路的上方覆蓋封裝膠水層。

根據本發明的實施例，所述金屬膜或者所述合金膜由真空蒸鍍、磁控濺鍍、連續鍍膜、水電鍍膜或者化學鍍膜方式成膜。

根據本發明的實施例，所述導電線路由激光雕刻形成。

根據本發明的實施例，所述封裝膠水層經電磁波固化。

根據本發明的實施例，所述底材設為玻璃或者塑料、陶瓷。