[發明專利]SiC膜構造體及SiC膜構造體的制造方法有效
| 申請號： | 201911344813.1 | 申請日： | 2019-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN111627846B | 公開（公告）日： | 2023-05-23 |
| 發明（設計）人： | 川本聰 | 申請（專利權）人： | 艾德麥普株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/673 | 分類號： | H01L21/673;B65D1/00;B65D43/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 曲天佐 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sic 構造 制造 方法 | ||
1.一種SiC膜構造體，通過氣相沉積型的成膜法向基材的外周形成SiC膜，并通過去除所述基材而得到由SiC膜確定的立體形狀，其特征在于，具有：
本體，其具有由SiC膜構成的立體形狀，并且具有為了去除所述基材而使基材的一部分露出的開口部；
蓋體，其用于覆蓋所述開口部，使所述SiC膜構造體為密閉的封閉構造。
2.如權利要求1所述的SiC膜構造體，其特征在于，
所述蓋體由SiC膜構成。
3.如權利要求1或2所述的SiC膜構造體，其特征在于，
所述蓋體具有向所述開口部中嵌合的凸臺部和向所述凸臺部的外周伸出而覆蓋所述開口部的凸緣部。
4.一種SiC膜構造體的制造方法，是通過氣相沉積型的成膜法向基材的外周形成SiC膜，并通過去除所述基材而得到由SiC膜確定的立體形狀的SiC膜構造體的制造方法，其特征在于，包含：
膜形成工序，以使所述基材的一部分露出的狀態，在該基材的外周形成SiC膜；
基材去除工序，在所述膜形成工序之后去除所述基材；
封閉工序，利用蓋體將去除了基材的所述SiC膜的開口部封閉，使所述SiC膜構造體為密閉的封閉構造。
5.如權利要求4所述的SiC膜構造體的制造方法，其特征在于，
在所述封閉工序中，包含利用新的SiC膜覆蓋所述蓋體與所述SiC膜的接觸部位的工序。
6.如權利要求5所述的SiC膜構造體的制造方法，其特征在于，
以向所述SiC膜與所述蓋體之間夾設通過加熱而燒掉的間隔物的狀態進行所述封閉工序。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
