[發明專利]SiC膜構造體及SiC膜構造體的制造方法

有效

• 申請號: 201911344813.1
• 申請日: 2019-08-28
• 公開（公告）號: CN111627846B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 川本聰
• 申請（專利權）人: 艾德麥普株式會社
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;B65D1/00;B65D43/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 曲天佐

提供一種能夠采用封閉構造的SiC膜構造體及SiC膜構造體的制造方法。SiC膜構造體(10)通過氣相沉積型的成膜法向基材(50)的外周形成SiC膜，并通過去除基材(50)而得到由SiC膜確定的立體形狀，其特征在于，具有：本體(12)，其具有由SiC膜構成的立體形狀，并且具有用于去除基材(50)的開口部(12a)；蓋體(14)，其覆蓋開口部(12a)。

本申請是申請日為2019年08月28日、名稱為“SiC膜構造體”、申請號為201980001810.X的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及SiC成膜技術，特別涉及一種由SiC膜構成的立體的構造體及其制造方法。

背景技術

由于耐環境性好，化學穩定性高，特別是在半導體元件制造領域，作為制造半導體時的晶舟、管以及假片這些在超高溫下使用的夾具或產品，對通過由SiC所構成的膜單體構成的構造體的需要日趨提高。

這種由SiC膜構成的構造體(以下稱為SiC膜構造體)不僅能夠制造成平面形，還能夠制造成立體形狀。作為其具體制造方法，例如公知專利文獻1中公開的方法。專利文獻1中公開的SiC膜構造體的制造方法首先制作出由碳(石墨)等構成的基材。接著，經由CVD(chemicalvapor?deposition：化學氣相沉積)法向基材的表面形成SiC膜。

接著，通過在高溫氧化環境中對成膜后的坯料進行加熱來燒掉基材。通過利用這樣的處理進行基材去除，從而即使是具有難以通過機械加工將基材去除的復雜立體形狀的構造體，也能夠進行基材去除，能夠得到SiC膜構造體。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2001-158666號公報

發明內容

發明所要解決的技術問題

在以上述方式形成的SiC膜構造體中，具有立體形狀的SiC膜構造體需要向基材表面上局部地或者全面地形成SiC膜并去除基材。但是，要想去除基材，就要設置使基材的一部分露出的氧化孔，SiC膜構造體不能采用完全的封閉構造。

在作為產品而構成的SiC膜構造體上，如果留下這樣的氧化孔，藥液等的水分就會在清洗等時進入其內部，往往會產生難以干燥的部位。

因此，本發明的目的在于解決上述問題，提供一種能夠采用封閉構造的SiC膜構造體以及起到該效果的SiC膜構造體的制造方法。

用于解決技術問題的手段

用于實現上述目的的本發明的SiC膜構造體通過氣相沉積型的成膜法向基材的外周形成SiC膜，并通過去除所述基材而得到由SiC膜確定的立體形狀，其特征在于，具有：本體，其具有由SiC膜構成的立體形狀，并且具有為了去除所述基材而使基材的一部分露出的開口部；蓋體，其用于覆蓋所述開口部，使所述SiC膜構造體為密閉的封閉構造。

另外，在具有上述特征的SiC膜構造體中，優選所述蓋體由SiC膜構成。通過具有這樣的特征，能夠利用SiC單體構成SiC膜構造體。另外，由于能夠使本體和蓋體的熱膨脹系數一致，因此不存在伴隨著溫度變化而產生變形的隱患。

而且，在具有上述特征的SiC膜構造體中，所述蓋體可以具有向所述開口部中嵌合的凸臺部和向所述凸臺部的外周伸出而覆蓋所述開口部的凸緣部。通過具有這樣的特征，即使構造體為微小的構造體，也能夠容易地進行蓋體的定位以及開口部的封閉。