[發(fā)明專利]數(shù)據(jù)保持電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911343577.1
• 申請日: 2019-12-24
• 公開（公告）號: CN111384942B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃啟睿
• 申請（專利權(quán)）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0175
• 分類號: H03K19/0175
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 趙平;周永君

1.一種數(shù)據(jù)保持電路，其特征在于，所述電路包含：

一第一電源開關(guān)，具有一第一連接端與一第二連接端，且該第一連接端耦接于一電源電壓，其中，該第一電源開關(guān)于一睡眠模式中截止，且一第一漏電流流于該第一連接端與該第二連接端之間；

一第一反相器，具有一第一輸入端、一第一輸出端與一第一電源端，該第一電源端耦接于該第二連接端，該第一反向器包含一第一晶體管，該第一晶體管的第一端耦接于該第一電源端，該第一晶體管的第二端耦接于該第一輸出端，其中，該第一晶體管于該睡眠模式中截止，且一第二漏電流于該第一電源端與該第一輸出端之間；及

一第二反相器，具有一第二輸入端、一第二輸出端與一第二電源端，該第二輸入端耦接于該第一輸出端，該第二輸出端耦接于該第一輸入端，且該第二電源端耦接于該第二連接端；及

其中，該第一漏電流與該第二漏電流于該第二連接端上形成一穩(wěn)態(tài)電壓，且該穩(wěn)態(tài)電壓大于或等于一數(shù)據(jù)保持電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)保持電路，其特征在于，所述第一電源開關(guān)包含一第二晶體管，該第二晶體管的臨界電壓小于該第一晶體管的臨界電壓，且該第二晶體管的寬長比和該第一晶體管的寬長比相等。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)保持電路，其特征在于，所述第一電源開關(guān)包含一第二晶體管，該第二晶體管的臨界電壓和該第一晶體管的臨界電壓相等，且該第二晶體管的寬長比大于該第一晶體管的寬長比。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的數(shù)據(jù)保持電路，其特征在于，所述第二晶體管的該寬長比與該第一晶體管的該寬長比的比值介于3至4之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)保持電路，其特征在于，所述電路還包含：

一第二電源開關(guān)，具有一第三連接端與一第四連接端，且該第三連接端耦接于該電源電壓，其中該第二電源開關(guān)于該睡眠模式中截止；

一第三反相器，具有一第三輸入端、一第三輸出端與一第三電源端，且該第三電源端耦接于該第四連接端；及

一第四反相器，具有一第四輸入端、一第四輸出端與一第四電源端，該第四輸入端耦接于該第三輸出端，該第四輸出端耦接于該第三輸入端，且該第四電源端耦接于該第四連接端；

一第一傳輸閘，耦接于該第一輸出端與該第二輸入端之間；

一第二傳輸閘，耦接于該第三輸入端與該第四輸出端之間；

一第三傳輸閘，耦接于耦接于該第三輸出端與該第二輸入端之間；及

一第四傳輸閘，耦接于一輸入數(shù)據(jù)與該第三輸入端之間。

6.一種數(shù)據(jù)保持電路，其特征在于，所述電路包含：

一第一電源開關(guān)，具有一第一連接端與一第二連接端，且該第一連接端耦接于一接地電壓，其中，該第一電源開關(guān)于一睡眠模式中截止，且一第一漏電流流于該第一連接端與該第二連接端之間；

一第一反相器，具有一第一輸入端、一第一輸出端與一第一電源端，該第一電源端耦接于該第二連接端，該第一反向器包含一第一晶體管，該第一晶體管的第一端耦接于該第一電源端，該第一晶體管的第二端耦接于該第一輸出端，其中，該第一晶體管于該睡眠模式中截止，且一第二漏電流于該第一電源端與該第一輸出端之間；及

一第二反相器，具有一第二輸入端、一第二輸出端與一第二電源端，該第二輸入端耦接于該第一輸出端，該第二輸出端耦接于該第一輸入端，且該第二電源端耦接于該第二連接端；及

其中，該第一漏電流與該第二漏電流于該第二連接端上形成一穩(wěn)態(tài)電壓，且該穩(wěn)態(tài)電壓小于一數(shù)據(jù)保持電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的數(shù)據(jù)保持電路，其特征在于，所述第一電源開關(guān)包含一第二晶體管，該第二晶體管的臨界電壓小于該第一晶體管的臨界電壓，且該第二晶體管的寬長比和該第一晶體管的寬長比相等。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的數(shù)據(jù)保持電路，其特征在于，所述第一電源開關(guān)包含一第二晶體管，該第二晶體管的臨界電壓和該第一晶體管的臨界電壓相等，且該第二晶體管的寬長比大于該第一晶體管的寬長比。