[發(fā)明專利]一種水平立式磁控濺射鍍膜設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911342701.2
• 申請(qǐng)日: 2019-12-23
• 公開（公告）號(hào): CN110878408A
• 公開（公告）日: 2020-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高瑞三;林志榮;高大鈞;詹奇峯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 眾鼎瑞展電子科技（深圳）有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/56
• 代理公司: 廣州市紅荔專利代理有限公司 44214
• 代理人: 李彥孚

本發(fā)明涉及鍍膜設(shè)備領(lǐng)域，具體公開了一種水平立式磁控濺射鍍膜設(shè)備，包括底架、主電控單元和依次設(shè)置在底架上的進(jìn)出片區(qū)、等離子放電腔體、緩沖腔體和鍍膜制程腔體；所述進(jìn)出片區(qū)、等離子放電腔體和鍍膜制程腔體內(nèi)分別設(shè)置有導(dǎo)軌，所述導(dǎo)軌上設(shè)置有運(yùn)載車；所述進(jìn)出片區(qū)、等離子放電腔體、緩沖腔體和鍍膜制程腔體兩兩之間設(shè)置有可控門；所述等離子放電腔體內(nèi)開設(shè)有抽氣孔，所述抽氣孔通過管道連接抽氣泵；所述主電控單元分別電氣連接抽氣泵、可控門和運(yùn)載車。本發(fā)明提供一種能夠有效提升產(chǎn)能、減少占地面積以及效率的水平立式磁控濺射鍍膜設(shè)備。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及鍍膜設(shè)備領(lǐng)域，特別是涉及一種水平立式磁控濺射鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)

在鍍膜領(lǐng)域，目前，在玻璃蓋板或是壓克力蓋板的鍍膜方式，多以電子槍熱蒸鍍方式或爐式的磁控濺射方式進(jìn)行；但是目前使用的鍍膜機(jī)的線長(zhǎng)較長(zhǎng)、占用空間大，成本較高并且存在小腔室掛量少、產(chǎn)能低、抽空時(shí)間長(zhǎng)、加熱時(shí)間長(zhǎng)以及產(chǎn)能提升幅度有限的問題，甚至存在不同種類基板間或是光學(xué)薄膜與防指紋膜交叉污染的問題與光學(xué)特性。

例如中國(guó)專利CN201320412833.X公開了一種磁控陰極濺射鍍膜工藝室，包括依次連通的入口氣鎖室、入口真空緩沖腔室、磁控陰極濺射鍍膜真空腔室、出口真空緩沖腔室和出口氣鎖室，所述入口真空緩沖腔室包括至少4個(gè)緩沖單元腔室，磁控陰極濺射鍍膜真空腔室包括至少16個(gè)濺射單元腔室，所述出口真空緩沖腔室包括至少4個(gè)緩沖單元腔室。可以看出，該磁控陰極濺射鍍膜工藝室線長(zhǎng)，且占用空間大，生產(chǎn)效率低下，緩沖單元腔多，抽空時(shí)間過長(zhǎng)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種水平立式磁控濺射鍍膜設(shè)備，體積小，采用自動(dòng)進(jìn)出基板，生產(chǎn)效率高。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種水平立式磁控濺射鍍膜設(shè)備，包括底架、主電控單元和依次設(shè)置在底架上的進(jìn)出片區(qū)、等離子放電腔體、緩沖腔體和鍍膜制程腔體；

所述進(jìn)出片區(qū)、等離子放電腔體和鍍膜制程腔體內(nèi)分別設(shè)置有導(dǎo)軌，所述導(dǎo)軌上設(shè)置有運(yùn)載車；

所述進(jìn)出片區(qū)、等離子放電腔體、緩沖腔體和鍍膜制程腔體兩兩之間設(shè)置有可控門；

所述等離子放電腔體內(nèi)開設(shè)有抽氣孔，所述抽氣孔通過管道連接抽氣泵；

所述主電控單元分別電氣連接抽氣泵、可控門和運(yùn)載車。

作為優(yōu)選方案，所述鍍膜制程腔體遠(yuǎn)離緩沖腔體的一側(cè)設(shè)置有輔助緩沖腔體。

作為優(yōu)選方案，所述底架底部設(shè)置有滑輪。

作為優(yōu)選方案，所述等離子放電腔體內(nèi)設(shè)置有溫度傳感器和氣壓傳感器，所述溫度傳感器和氣壓傳感器分別電氣連接所述主電控單元。

作為優(yōu)選方案，所述進(jìn)出片區(qū)、等離子放電腔體、緩沖腔體和鍍膜制程腔體內(nèi)分別設(shè)置有多個(gè)用于檢測(cè)基板是否到達(dá)相應(yīng)位置的紅外感應(yīng)探頭，所述紅外感應(yīng)探頭電氣連接所述主電控單元。

作為優(yōu)選方案，所述鍍膜制程腔體包括兩個(gè)連續(xù)設(shè)置的濺鍍腔體，所述濺鍍腔體內(nèi)設(shè)置有濺射靶。

作為優(yōu)選方案，所述濺射靶上設(shè)置有溫度傳感器和火花傳感器，所述溫度傳感器和火花傳感器分別電氣連接所述主電控單元。

作為優(yōu)選方案，所述濺射靶上還設(shè)置有功率計(jì)數(shù)傳感器，所述功率計(jì)數(shù)傳感器電氣連接所述主電控單元。

作為優(yōu)選方案，所述進(jìn)去片區(qū)和等離子放電腔體內(nèi)的導(dǎo)軌為兩個(gè)相互平行的移動(dòng)導(dǎo)軌，所述移動(dòng)導(dǎo)軌連接氣缸，所述氣缸電氣連接所述主電控單元。

作為優(yōu)選方案，所述主電控單元電氣連接有控制PC。

本發(fā)明具有以下有益效果：