[發(fā)明專(zhuān)利]一種水平立式磁控濺射鍍膜設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911342701.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110878408A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-03-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高瑞三;林志榮;高大鈞;詹奇峯 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 眾鼎瑞展電子科技(深圳)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C14/35 | 分類(lèi)號(hào): | C23C14/35;C23C14/56 |
| 代理公司: | 廣州市紅荔專(zhuān)利代理有限公司 44214 | 代理人: | 李彥孚 |
| 地址: | 518104 廣東省深圳市寶*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 水平 立式 磁控濺射 鍍膜 設(shè)備 | ||
1.一種水平立式磁控濺射鍍膜設(shè)備,其特征在于:包括底架、主電控單元和依次設(shè)置在底架上的進(jìn)出片區(qū)、等離子放電腔體、緩沖腔體和鍍膜制程腔體;
所述進(jìn)出片區(qū)、等離子放電腔體和鍍膜制程腔體內(nèi)分別設(shè)置有導(dǎo)軌,所述導(dǎo)軌上設(shè)置有運(yùn)載車(chē);
所述進(jìn)出片區(qū)、等離子放電腔體、緩沖腔體和鍍膜制程腔體兩兩之間設(shè)置有可控門(mén);
所述等離子放電腔體內(nèi)開(kāi)設(shè)有抽氣孔,所述抽氣孔通過(guò)管道連接抽氣泵;
所述主電控單元分別電氣連接抽氣泵、可控門(mén)和運(yùn)載車(chē)。
2.如權(quán)利要求1所述的水平立式磁控濺射鍍膜設(shè)備,其特征在于:所述鍍膜制程腔體遠(yuǎn)離緩沖腔體的一側(cè)設(shè)置有輔助緩沖腔體。
3.如權(quán)利要求2所述的水平立式磁控濺射鍍膜設(shè)備,其特征在于:所述底架底部設(shè)置有滑輪。
4.如權(quán)利要求1所述的水平立式磁控濺射鍍膜設(shè)備,其特征在于:所述等離子放電腔體內(nèi)設(shè)置有溫度傳感器和氣壓傳感器,所述溫度傳感器和氣壓傳感器分別電氣連接所述主電控單元。
5.如權(quán)利要求1所述的水平立式磁控濺射鍍膜設(shè)備,其特征在于:所述進(jìn)出片區(qū)、等離子放電腔體、緩沖腔體和鍍膜制程腔體內(nèi)分別設(shè)置有多個(gè)用于檢測(cè)基板是否到達(dá)相應(yīng)位置的紅外感應(yīng)探頭,所述紅外感應(yīng)探頭電氣連接所述主電控單元。
6.如權(quán)利要求1所述的水平立式磁控濺射鍍膜設(shè)備,其特征在于:所述鍍膜制程腔體包括兩個(gè)連續(xù)設(shè)置的濺鍍腔體,所述濺鍍腔體內(nèi)設(shè)置有濺射靶。
7.如權(quán)利要求6所述的水平立式磁控濺射鍍膜設(shè)備,其特征在于:所述濺射靶上設(shè)置有溫度傳感器和火花傳感器,所述溫度傳感器和火花傳感器分別電氣連接所述主電控單元。
8.如權(quán)利要求7所述的水平立式磁控濺射鍍膜設(shè)備,其特征在于:所述濺射靶上還設(shè)置有功率計(jì)數(shù)傳感器,所述功率計(jì)數(shù)傳感器電氣連接所述主電控單元。
9.如權(quán)利要求1所述的水平立式磁控濺射鍍膜設(shè)備,其特征在于:所述進(jìn)去片區(qū)和等離子放電腔體內(nèi)的導(dǎo)軌為兩個(gè)相互平行的移動(dòng)導(dǎo)軌,所述移動(dòng)導(dǎo)軌連接氣缸,所述氣缸電氣連接所述主電控單元。
10.如權(quán)利要求1所述的水平立式磁控濺射鍍膜設(shè)備,其特征在于:所述主電控單元電氣連接有控制PC。
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C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
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