[發明專利]殼體及其制作方法

有效

• 申請號: 201911341842.2
• 申請日: 2019-12-23
• 公開（公告）號: CN113088965B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 田彪
• 申請（專利權）人: 深圳市萬普拉斯科技有限公司
• 主分類號: C23C28/00
• 分類號: C23C28/00;C25D11/02;C25D11/18;C23C14/10;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/12
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 單驍越

1.一種殼體，其特征在于，包括：基材、染料層、二氧化硅膜、金屬膜、氟化鎂膜以及AF膜，其中，所述染料層層疊在所述基材上，所述二氧化硅膜層疊在所述染料層遠離所述基材的一側，所述金屬膜層疊在所述二氧化硅膜遠離所述染料層的一側，所述氟化鎂膜層疊在所述金屬膜遠離所述二氧化硅膜的一側，所述AF膜層疊在所述氟化鎂膜遠離所述金屬膜的一側；

所述金屬膜的厚度為5nm~20nm，所述金屬膜為鋁膜；

所述染料層包括多孔的本體及填充在所述本體內的染料分子，所述基材為金屬基材。

2.根據權利要求1所述的殼體，其特征在于，所述二氧化硅膜的厚度為2nm~10nm。

3.根據權利要求1所述的殼體，其特征在于，所述氟化鎂膜的厚度為5nm~10nm。

4.根據權利要求1所述的殼體，其特征在于，所述AF膜的厚度為2nm~5nm。

5.一種殼體的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供基材和層疊在所述基材上的染料層；

在所述染料層遠離所述基材的一側層疊二氧化硅膜；

在所述二氧化硅膜遠離所述染料層的一側層疊金屬膜；

在所述金屬膜遠離所述二氧化硅膜的一側層疊氟化鎂膜；及

在所述氟化鎂膜遠離所述金屬膜的一側層疊AF膜，得到殼體；

所述金屬膜的厚度為5nm~20nm，所述金屬膜為鋁膜；

所述基材為金屬基材，所述提供基材和層疊在所述基材上的染料層的步驟包括：先對所述基材進行陽極氧化處理；然后對所述基材進行染色，以在所述基材上形成染料層。

6.根據權利要求5所述的殼體的制作方法，其特征在于，所述基材為鋁或鋁合金。

7.根據權利要求5所述的殼體的制作方法，其特征在于，采用真空鍍膜的方式在所述染料層遠離所述基材的一側層疊所述二氧化硅膜，且所述真空鍍膜的過程中，真空度為2.0×10^-5torr~8.0×10^-5torr。

8.根據權利要求5所述的殼體的制作方法，其特征在于，所述在所述染料層遠離所述基材的一側層疊二氧化硅膜的步驟之前，還包括對所述基材和所述染料層進行離子清洗的步驟。

9.根據權利要求8所述的殼體的制作方法，其特征在于，所述對所述基材和所述染料層進行離子清洗的步驟中的工藝參數為：真空度為5.0×10^-5torr，電壓為100V~110V，陽極電流為5A~7A，氬氣流量為20sccm~30sccm。

10.根據權利要求7所述的殼體的制作方法，其特征在于，所述在所述二氧化硅膜遠離所述染料層的一側層疊金屬膜的步驟中，采用真空蒸鍍的方式，真空度為8.0×10^-6torr，氬氣流量為60sccm~100sccm。